摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第一章 陶瓷与金属的连接 | 第11-27页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 C_f/SiC复合材料的制备方法及应用 | 第12-13页 |
1.2.1 C_f/SiC复合材料的制备方法 | 第12页 |
1.2.2 C_f/SiC复合材料的应用 | 第12-13页 |
1.3 陶瓷基复合材料与金属的连接方法 | 第13-16页 |
1.4 对C_f/SiC复合材料与金属连接的研究 | 第16-20页 |
1.5 化学气相沉积 | 第20-26页 |
1.5.1 化学气相沉积的反应体系 | 第21-22页 |
1.5.2 化学气相沉积装置 | 第22-24页 |
1.5.3 化学气相沉积的影响因素 | 第24-25页 |
1.5.4 化学气相沉积技术的应用 | 第25-26页 |
1.6 本论文的研究意义 | 第26-27页 |
第二章 实验过程及研究方法 | 第27-37页 |
2.1 实验原材料 | 第27-28页 |
2.2 实验仪器与设备 | 第28-29页 |
2.3 化学气相沉积 | 第29-33页 |
2.3.1 CVD沉积装置 | 第29-30页 |
2.3.2 C_f/SiC复合材料上沉积Nb的工艺流程 | 第30-33页 |
2.3.3 CVD工艺条件控制对沉积速率及沉积层质量的影响 | 第33页 |
2.4 热处理对接头界面反应及结合强度的影响 | 第33-34页 |
2.5 实验分析方法 | 第34-37页 |
2.5.1 沉积速率计算 | 第34-35页 |
2.5.2 剪切强度实验 | 第35页 |
2.5.3 金相分析 | 第35-36页 |
2.5.4 物相分析 | 第36页 |
2.5.5 显微硬度测量 | 第36页 |
2.5.6 显微组织形貌分析及界面成分分析 | 第36-37页 |
第三章 C_f/SiC复合材料上化学气相沉积Nb的研究 | 第37-51页 |
3.1 化学气相沉积工艺对Nb沉积速率和沉积质量的影响 | 第37-42页 |
3.1.1 气体流量对CVD Nb性能的影响 | 第37页 |
3.1.2 气体流量对CVD Nb性能的影响 | 第37-42页 |
3.2 沉积温度对CVD Nb性能的影响 | 第42-44页 |
3.3 沉积态接头界面的组织与力学性能 | 第44-49页 |
3.4 本章小结 | 第49-51页 |
第四章 热处理对Nb-C_f/SiC接头的界面组织及力学性能影响 | 第51-65页 |
4.1 热处理温度对界面组织的影响 | 第51-57页 |
4.2 热处理温度对接头剪切强度的影响 | 第57-58页 |
4.3 热处理时间对界面组织的影响 | 第58-63页 |
4.4 热处理时间对接头剪切强度的影响 | 第63页 |
4.5 热处理对界面显微硬度的影响 | 第63-64页 |
4.6 本章小结 | 第64-65页 |
第五章 结论 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-71页 |
致谢 | 第71-72页 |
附录A 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第72页 |