| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 序言 | 第10-25页 |
| 1.1 多晶硅表面氧化的应用背景及研究近况 | 第10-14页 |
| 1.1.1 太阳能电池的“PID”问题 | 第10-12页 |
| 1.1.2“PID”问题的解决方法 | 第12-14页 |
| 1.2 大气压等离子体射流概述 | 第14-20页 |
| 1.2.1 等离子体简介 | 第14-17页 |
| 1.2.2 大气压等离子体射流 | 第17-20页 |
| 1.3 液相氧化法概述 | 第20-24页 |
| 1.3.1 DSA简介 | 第20-21页 |
| 1.3.2 DSA的电催化机理 | 第21-24页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第24-25页 |
| 第二章 大气压等离子体射流氧化多晶硅表面的实验装置及实验安排 | 第25-29页 |
| 2.1 大气压等离子体射流发生装置 | 第25-26页 |
| 2.2 大气压等离子体射流法氧化多晶硅表面的实验安排 | 第26-29页 |
| 2.2.1 激发频率的选择 | 第26-27页 |
| 2.2.2 多晶硅表面氧化效果分析 | 第27-29页 |
| 第三章 液相氧化法氧化多晶硅表面的装置及实验安排 | 第29-34页 |
| 3.1 液相氧化法实验装置 | 第29-30页 |
| 3.1.1 DSA的制备 | 第29页 |
| 3.1.2 液相氧化法的实验装置 | 第29-30页 |
| 3.2 液相氧化法氧化多晶硅表面的实验安排 | 第30-34页 |
| 3.2.1 电解质溶液的选择 | 第30-31页 |
| 3.2.2 液相氧化效果分析 | 第31页 |
| 3.2.3 抗PID效果测试 | 第31-34页 |
| 第四章 大气压等离子体射流氧化多晶硅表面的实验结果与分析 | 第34-48页 |
| 4.1 APPJ基本特性分析 | 第34-40页 |
| 4.1.1 APPJ的I、V波形 | 第34-35页 |
| 4.1.2 APPJ发射光谱分析 | 第35-40页 |
| 4.2 多晶硅表面氧化效果分析 | 第40-48页 |
| 4.2.1 多晶硅表面XPS测试及TEM断面 | 第40-42页 |
| 4.2.2 多晶硅表面接触角 | 第42-45页 |
| 4.2.3 多晶硅少数载流子寿命测试 | 第45-48页 |
| 第五章 液相氧化法氧化多晶硅表面的实验结果与分析 | 第48-59页 |
| 5.1 DSA表面形貌观察 | 第48-49页 |
| 5.2 多晶硅表面氧化效果分析 | 第49-54页 |
| 5.2.1 多晶硅表面接触角 | 第49-51页 |
| 5.2.2 多晶硅表面XPS测试及TEM断面 | 第51-53页 |
| 5.2.3 多晶硅少数载流子寿命测试 | 第53-54页 |
| 5.3 抗PID测试 | 第54-59页 |
| 5.3.1 电池片基本性能测试 | 第54-56页 |
| 5.3.2 电池组件抗PID性能测试 | 第56-59页 |
| 第六章 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 攻读硕士期间公开发表的论文和专利 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
