| 摘要 | 第2-3页 |
| ABSTRACT | 第3页 |
| 1 前言 | 第10-12页 |
| 2 DRAM(DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY)简介 | 第12-23页 |
| 2.1 DRAM 的发展历史 | 第12-14页 |
| 2.2 DRAM 的基本基本结构 | 第14-15页 |
| 2.3 DRAM 的读、写操作 | 第15-16页 |
| 2.4 DRAM 的刷新问题（REFRESH） | 第16-17页 |
| 2.5 电容的基本原理 | 第17页 |
| 2.6 在DRAM 中增大电容的作用 | 第17-18页 |
| 2.7 增大电容的方法及其发展方向 | 第18-23页 |
| 2.7.1 增加电容电极的表面积 | 第18-20页 |
| 2.7.2 优化电容的介电层 | 第20-23页 |
| 3 0.13μM 堆叠式DRAM 制造中HSG（HEMI-SPHERICAL-GRAIN）的工艺建立 | 第23-30页 |
| 3.1 粗糙多晶硅（RUGGED POLY）和HSG 的比对 | 第23-25页 |
| 3.2 选择性HSG 与非选择性HSG 的比对 | 第25-26页 |
| 3.3 0.13μM 堆叠式DRAM 制造中HSG 的工艺建立 | 第26-28页 |
| 3.4 HSG 工艺中的控制因素 | 第28-30页 |
| 4 0.13μM 堆叠式DRAM 中电容相关问题 | 第30-36页 |
| 4.1 0.13μM 堆叠式DRAM 批量生产中电容相关问题 | 第30-32页 |
| 4.1.1 下极板电阻随晶舟摆放降低现象 | 第30-31页 |
| 4.1.2 DRT(Data Retention)问题 | 第31-32页 |
| 4.2 电容相关问题的可能原因分析 | 第32-33页 |
| 4.3 实验相关内容 | 第33-36页 |
| 4.3.1 实验参数调整 | 第33-34页 |
| 4.3.2 检测项目 | 第34-35页 |
| 4.3.3 辅助假产品的使用 | 第35-36页 |
| 5 工艺参数调整对HSG 工艺的影响 | 第36-48页 |
| 5.1 调整磷掺杂气体PH3 流量对于HSG 下电极电阻的影响 | 第36-38页 |
| 5.2 调整未定型硅对于HSG 下电极电阻的影响 | 第38-40页 |
| 5.2.1 调整HSG 中未定型硅的沉积时间 | 第38-39页 |
| 5.2.2 HSG 工艺中片数效应的分析 | 第39-40页 |
| 5.3 DRT 问题的解决 | 第40-43页 |
| 5.3.1 HSG 厚度对DRT 失效的影响 | 第40-42页 |
| 5.3.2 电容筒状结构尺寸对DRT 失效的影响 | 第42-43页 |
| 5.4 综合实验结果 | 第43-48页 |
| 5.4.1 下极板电阻实验结果分析 | 第44-45页 |
| 5.4.2 DRT 失效实验结果分析 | 第45-47页 |
| 5.4.3 电容与HSG 工艺厚度的关系 | 第47-48页 |
| 6 工作成果总结和推广 | 第48-50页 |
| 6.1 结论 | 第48-49页 |
| 6.2 推广 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第53-55页 |
