基于六西格玛在电脑主板失效分析中的应用
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-11页 |
| 1.2 研究动机 | 第11-12页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.4 研究内容 | 第14页 |
| 1.5 研究方法与技术路线 | 第14-15页 |
| 1.6 论文框架 | 第15-17页 |
| 第二章 主板失效现状分析 | 第17-37页 |
| 2.1 主板生产的工艺流程介绍 | 第17-20页 |
| 2.1.1 主板制造SMT 流程 | 第17-18页 |
| 2.1.2 主板制造DIP 流程 | 第18页 |
| 2.1.3 主板测试简介 | 第18-20页 |
| 2.2 主板失效模式与失效机理 | 第20-21页 |
| 2.3 主板元器件常见的失效 | 第21-29页 |
| 2.3.1 印制线路板的失效分析 | 第21-22页 |
| 2.3.2 主板上元器件的失效分析 | 第22-29页 |
| 2.4 主板失效分析电测技术 | 第29-31页 |
| 2.5 主板失效分析物理技术 | 第31-37页 |
| 第三章 六西格玛DMAIC 理论综述 | 第37-42页 |
| 3.1 六西格玛概述 | 第37-39页 |
| 3.2 DMAIC 概念及现实意义 | 第39-40页 |
| 3.3 DMAIC 各阶段执行步骤及使用工具 | 第40-42页 |
| 第四章 DMAIC 方法在失效分析案例中的应用 | 第42-73页 |
| 4.1 问题背景 | 第42页 |
| 4.2 定义阶段 | 第42-45页 |
| 4.2.1 进行CTQ’s & CTP’s 分析 | 第44-45页 |
| 4.2.2 进行SIPOC 分析 | 第45页 |
| 4.3 测量阶段 | 第45-55页 |
| 4.3.1 找出引起不良的假因子 | 第46-48页 |
| 4.3.2 树立测量计划与测量系统验证 | 第48-54页 |
| 4.3.3 确定Y 与X 的链接关系 | 第54-55页 |
| 4.4 分析阶段 | 第55-69页 |
| 4.4.1 电晶体不良分析 | 第55-62页 |
| 4.4.2 芯片不良分析 | 第62-67页 |
| 4.4.3 电容不良分析 | 第67-69页 |
| 4.5 改善阶段 | 第69-71页 |
| 4.5.1 电晶体不良的改善 | 第69页 |
| 4.5.2 芯片不良的改善 | 第69-70页 |
| 4.5.3 电容不良的改善 | 第70-71页 |
| 4.5.4 改善效果的确认 | 第71页 |
| 4.6 控制阶段 | 第71-73页 |
| 第五章 结论与建议 | 第73-74页 |
| 5.1 结论 | 第73页 |
| 5.2 未来研究方向 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第77页 |
