| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 硅微通道板制备技术发展 | 第8-11页 |
| 1.1.1 微通道板简介 | 第8-9页 |
| 1.1.2 硅微通道板制备相关技术发展 | 第9-11页 |
| 1.2 硅微通道制备中结构释放及后整形技术简介 | 第11-13页 |
| 1.2.1 硅微通道制备工艺 | 第11-12页 |
| 1.2.2 结构释放技术简介 | 第12页 |
| 1.2.3 整形技术简介 | 第12-13页 |
| 1.3 论文的研究意义及主要研究内容 | 第13-16页 |
| 1.3.1 论文的研究意义 | 第13-14页 |
| 1.3.2 论文的研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 硅微通道结构释放及后整形实验 | 第16-29页 |
| 2.1 湿法腐蚀结构释放原理及实验 | 第16-20页 |
| 2.1.1 湿法腐蚀结构释放原理 | 第16-18页 |
| 2.1.2 湿法腐蚀结构释放实验 | 第18-20页 |
| 2.2 化学机械抛光结构释放原理及实验 | 第20-24页 |
| 2.2.1 化学机械抛光结构释放原理 | 第20-22页 |
| 2.2.2 化学机械抛光结构释放实验 | 第22-24页 |
| 2.3 硅微通道后整形技术原理及实验 | 第24-26页 |
| 2.3.1 硅微通道整形实验原理 | 第24-25页 |
| 2.3.2 硅微通道整形实验 | 第25-26页 |
| 2.4 实验表征测试 | 第26-29页 |
| 2.4.1 测量装置 | 第26-27页 |
| 2.4.2 尺寸测量 | 第27-29页 |
| 第三章 结构释放过程工艺问题分析 | 第29-37页 |
| 3.1 硅微通道湿法腐蚀结构释放背部塌陷的研究 | 第29-34页 |
| 3.1.1 硅微通道湿法腐蚀结构释放实验背部塌陷现象 | 第29-30页 |
| 3.1.2 腐蚀坑对塌陷的影响 | 第30-31页 |
| 3.1.3 硅片晶向对腐蚀的影响 | 第31-34页 |
| 3.2 CMP结构释放后通道阵列基体厚度误差分析 | 第34-37页 |
| 3.2.1 CMP结构释放实验中厚度误差的产生 | 第34-35页 |
| 3.2.2 CMP结构释放实验改进及比较 | 第35-37页 |
| 第四章 硅微通道后整形工艺问题研究 | 第37-47页 |
| 4.1 硅微通道形貌控制的研究 | 第37-40页 |
| 4.1.1 整形实验中温度改变通道形貌的研究 | 第37-38页 |
| 4.1.2 不同TMAH浓度的腐蚀液控制通道形貌的研究 | 第38-40页 |
| 4.2 不同浓度的异丙醇配比对整形速率的影响 | 第40-43页 |
| 4.2.1 不同浓度异丙醇配比的实验结果 | 第40-41页 |
| 4.2.2 分析与讨论 | 第41-42页 |
| 4.2.3 整形实验改进 | 第42-43页 |
| 4.3 整形实验通道尺寸均匀性的研究 | 第43-47页 |
| 4.3.1 沿通道方向壁厚分布情况 | 第43-44页 |
| 4.3.2 大孔径硅微通道整形背部表面壁厚均匀性研究 | 第44-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 已取得的研究成果 | 第51页 |
