| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第15-35页 |
| 1.1 湿法提金技术简介 | 第15-16页 |
| 1.2 硫代硫酸盐浸金的研究进展 | 第16-25页 |
| 1.2.1 硫代硫酸盐浸金的发展历史 | 第16-17页 |
| 1.2.2 硫代硫酸盐浸金机理 | 第17-20页 |
| 1.2.3 硫代硫酸盐浸金工艺在实际矿石中的应用 | 第20-24页 |
| 1.2.4 硫代硫酸盐浸出液中金的回收 | 第24-25页 |
| 1.3 硫代硫酸盐浸金存在的问题 | 第25-30页 |
| 1.3.1 硫代硫酸盐分解造成的试剂消耗 | 第25-27页 |
| 1.3.2 金表面的钝化 | 第27-30页 |
| 1.4 连多硫酸盐对硫代硫酸盐浸金过程的影响 | 第30-32页 |
| 1.4.1 连多硫酸盐的生成 | 第30-31页 |
| 1.4.2 浸金过程中连多硫酸盐的影响 | 第31-32页 |
| 1.5 课题的提出 | 第32-33页 |
| 1.6 主要研究内容及意义 | 第33-35页 |
| 第二章 研究方法 | 第35-51页 |
| 2.1 实验试剂与设备 | 第35-36页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第35页 |
| 2.1.2 主要仪器设备 | 第35-36页 |
| 2.2 实验原材料及制备 | 第36-38页 |
| 2.2.1 连三硫酸钠的合成 | 第36-37页 |
| 2.2.2 掺杂黄铁矿的人工合成 | 第37-38页 |
| 2.3 实验研究方法 | 第38-39页 |
| 2.3.1 纯金浸出实验 | 第38-39页 |
| 2.3.2 电化学测量 | 第39页 |
| 2.3.3 矿石对硫代硫酸根氧化分解实验 | 第39页 |
| 2.4 分析方法 | 第39-43页 |
| 2.4.1 金的浓度分析 | 第39页 |
| 2.4.2 硫代硫酸根、连三硫酸盐和连四硫酸盐浓度的检测 | 第39-42页 |
| 2.4.3 X射线衍射分析 | 第42页 |
| 2.4.4 拉曼光谱分析 | 第42-43页 |
| 2.4.5 SEM-EDX分析 | 第43页 |
| 2.5 电化学测量原理 | 第43-44页 |
| 2.6 理论计算原理与方法 | 第44-51页 |
| 2.6.1 密度泛函理论 | 第44-45页 |
| 2.6.2 Kohn-Sham方程 | 第45-46页 |
| 2.6.3 交换关联泛函的近似 | 第46-47页 |
| 2.6.4 固体结构与能带计算 | 第47-49页 |
| 2.6.5 计算方法和平台 | 第49-51页 |
| 第三章 金矿中伴生矿物对硫代硫酸盐的降解及连多硫酸盐的生成 | 第51-63页 |
| 3.1 硫代硫酸盐的稳定性 | 第51-54页 |
| 3.1.1 硫代硫酸盐在空气中的稳定性 | 第51-52页 |
| 3.1.2 氧气对硫代硫酸盐降解的影响 | 第52页 |
| 3.1.3 氨水对硫代硫酸盐降解的影响 | 第52-53页 |
| 3.1.4 Cu~(2+)对硫代硫酸盐降解的影响 | 第53-54页 |
| 3.2 黄铁矿对硫代硫酸盐降解的影响 | 第54-55页 |
| 3.2.1 黄铁矿单独存在时对硫代硫酸盐降解的影响 | 第54-55页 |
| 3.2.2 黄铁矿在充氧条件下对硫代硫酸盐降解的影响 | 第55页 |
| 3.3 黄铜矿对硫代硫酸盐降解的影响 | 第55-57页 |
| 3.3.1 黄铜矿单独存在时对硫代硫酸盐的降解 | 第55-56页 |
| 3.3.2 黄铜矿在氨水存在时对硫代硫酸盐的降解 | 第56-57页 |
| 3.4 斑铜矿对硫代硫酸盐降解的影响 | 第57-58页 |
| 3.4.1 斑铜矿单独存在时对硫代硫酸盐的降解 | 第57-58页 |
| 3.4.2 斑铜矿在氨水存在时对硫代硫酸盐的降解 | 第58页 |
| 3.5 辉铜矿对硫代硫酸盐降解的影响 | 第58-60页 |
| 3.5.1 辉铜矿单独存在时对硫代硫酸盐的降解 | 第58-59页 |
| 3.5.2 辉铜矿在氨水存在时对硫代硫酸盐的降解 | 第59-60页 |
| 3.6 矿物对连三硫酸盐降解的影响 | 第60页 |
| 3.7 矿物对连四硫酸盐降解的影响 | 第60-61页 |
| 3.8 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 半导体矿物催化降解硫代硫酸盐的机理研究 | 第63-79页 |
| 4.1 半导体的光致催化效应对硫代硫酸盐降解的影响 | 第64-66页 |
| 4.1.1 黄铁矿存在下光照对硫代硫酸盐降解的影响 | 第65页 |
| 4.1.2 黄铜矿存在下光照对硫代硫酸盐降解的影响 | 第65-66页 |
| 4.2 空穴或电子清除剂对硫代硫酸盐降解的影响 | 第66-69页 |
| 4.2.1 空穴或电子清除剂对黄铁矿催化降解硫代硫酸盐的影响 | 第66-68页 |
| 4.2.2 空穴或电子清除剂对黄铜矿催化降解硫代硫酸盐的影响 | 第68-69页 |
| 4.3 黄铁矿掺杂对硫代硫酸盐降解的影响 | 第69-71页 |
| 4.4 黄铁矿催化降解硫代硫酸盐的微观机理研究 | 第71-78页 |
| 4.4.1 计算模型和参数 | 第71-72页 |
| 4.4.2 掺杂对黄铁矿半导体类型和电子结构的影响 | 第72-74页 |
| 4.4.3 半导体催化剂的化学吸附本质 | 第74-75页 |
| 4.4.4 掺杂对硫代硫酸根在黄铁矿表面吸附的影响 | 第75-77页 |
| 4.4.5 掺杂对氧气在黄铁矿表面吸附的影响 | 第77-78页 |
| 4.5 本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 连多硫酸盐对铜氨硫代硫酸盐体系中金浸出过程的影响 | 第79-93页 |
| 5.1 连三或连四硫酸盐对金浸出结果的影响 | 第80-81页 |
| 5.2 连三或连四硫酸盐对溶液中Cu~(2+)浓度的影响 | 第81-82页 |
| 5.3 连三或连四硫酸盐对溶液混合电位的影响 | 第82-83页 |
| 5.4 连四硫酸盐影响金浸出的机理探讨 | 第83-86页 |
| 5.5 连多硫酸盐存在时金表面的钝化现象 | 第86-92页 |
| 5.5.1 金表面的SEM检测 | 第86-89页 |
| 5.5.2 金表面的拉曼光谱表征 | 第89-90页 |
| 5.5.3 金表面硫化物覆盖层的测定 | 第90-92页 |
| 5.6 本章小结 | 第92-93页 |
| 第六章 连多硫酸盐对金浸出阳极过程的影响 | 第93-113页 |
| 6.1 连多硫酸盐对金电极表面线性伏安响应的影响 | 第93-94页 |
| 6.2 连多硫酸盐对金阳极极化的影响 | 第94-97页 |
| 6.3 金电极在阳极极化过程的交流阻抗研究 | 第97-104页 |
| 6.3.1 金电极在0.25V时的交流阻抗谱图 | 第97-100页 |
| 6.3.2 金电极在0.7V时的交流阻抗谱图 | 第100-102页 |
| 6.3.3 金电极在1.1V时的交流阻抗谱图 | 第102-104页 |
| 6.4 连多硫酸盐对金电极表面双电层结构的影响 | 第104-106页 |
| 6.5 常规浸出电位下连多硫酸盐对金表面钝化层的影响 | 第106-112页 |
| 6.5.1 金表面的SEM表征 | 第106-110页 |
| 6.5.2 金表面的拉曼光谱表征 | 第110-112页 |
| 6.6 本章小结 | 第112-113页 |
| 第七章 连多硫酸盐影响金浸出阳极过程的调控 | 第113-137页 |
| 7.1 氨水对金浸出阳极过程的影响 | 第114-129页 |
| 7.1.1 硫代硫酸盐体系里氨水对金阳极过程的作用机制 | 第114-124页 |
| 7.1.2 连多硫酸盐存在时氨水对金阳极过程的作用机制 | 第124-129页 |
| 7.2 硫脲或硫氰化钾对金浸出阳极过程的影响 | 第129-136页 |
| 7.2.1 硫脲或硫氰化钾对金极化溶出的影响 | 第129-130页 |
| 7.2.2 硫脲或硫氰化钾存在下金电极的线性扫描伏安曲线 | 第130-131页 |
| 7.2.3 硫脲或硫氰化钾对金电极表面双电层结构的影响 | 第131-133页 |
| 7.2.4 硫脲或硫氰化钾对金溶解活化能的影响 | 第133-134页 |
| 7.2.5 硫脲或硫氰化钾存在下金表面的拉曼光谱检测 | 第134-135页 |
| 7.2.6 硫脲或硫氰化钾存在下金表面的SEM检测 | 第135-136页 |
| 7.3 本章小结 | 第136-137页 |
| 第八章 连多硫酸盐对金浸出阴极过程的影响 | 第137-151页 |
| 8.1 连多硫酸盐对溶液中Cu(NH_3)_4~(2+)还原及再生的影响 | 第138-139页 |
| 8.1.1 连多硫酸盐对溶液中Cu(NH_3)_4~(2+)还原过程的影响 | 第138页 |
| 8.1.2 溶液中Cu(NH_3)_4~(2+)的氧化再生 | 第138-139页 |
| 8.2 连多硫酸盐对Cu(NH_3)_4~(2+)在金表面还原的影响 | 第139-148页 |
| 8.2.1 连多硫酸盐存在时Cu(NH_3)_4~(2+)在金表面还原的线性伏安曲线 | 第139-141页 |
| 8.2.2 Cu(NH_3)_4~(2+)还原过程中金表面钝化层的形成 | 第141-148页 |
| 8.3 Cu(NH_3)_4~(2+)还原过程中对Au(S_2O_3)_2(3-)分解的影响 | 第148-149页 |
| 8.4 本章小结 | 第149-151页 |
| 第九章 连多硫酸盐影响金浸出阴极过程的调控 | 第151-159页 |
| 9.1 EDTA或乙二胺存在时连多硫酸盐对溶液中Cu(NH_3)_4~(2+)还原过程的影响 | 第151-152页 |
| 9.2 EDTA或乙二胺存在时连多硫酸盐体系中Cu(NH_3)_4~(2+)在金表面的还原 | 第152-157页 |
| 9.2.1 Cu(NH_3)_4~(2+)在金表面还原的线性伏安曲线 | 第152页 |
| 9.2.2 Cu(NH_3)_4~(2+)在金表面还原对金溶出结果的影响 | 第152-153页 |
| 9.2.3 Cu(NH_3)_4~(2+)在金表面还原后金表面的SEM检测 | 第153-157页 |
| 9.3 EDTA或乙二胺存在时Cu(NH_3)_4~(2+)对Au(S_2O_3)_2~(3+)分解的影响 | 第157页 |
| 9.4 本章小结 | 第157-159页 |
| 第十章 结论与创新 | 第159-163页 |
| 10.1 结论 | 第159-161页 |
| 10.2 创新点 | 第161页 |
| 10.3 后续工作与展望 | 第161-163页 |
| 参考文献 | 第163-173页 |
| 致谢 | 第173-174页 |
| 附录A 含S官能团的拉曼谱峰归属 | 第174-175页 |
| 附录B 金电极在不同扫描速率下的伏安曲线 | 第175-178页 |
| 附录C 攻读博士期间的科研成果 | 第178-179页 |
