CFETR氦冷陶瓷增殖包层中子学计算分析
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 核聚变研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 聚变堆发展历程 | 第11-12页 |
| 1.3 聚变堆包层研究及中子学分析 | 第12-15页 |
| 1.3.1 国内外包层介绍 | 第12-14页 |
| 1.3.2 包层中子学研究现状 | 第14-15页 |
| 1.4 论文研究内容和意义 | 第15-17页 |
| 第2章 中子学理论和计算方法 | 第17-27页 |
| 2.1 中子输运理论 | 第17-18页 |
| 2.2 蒙特卡罗方法 | 第18-19页 |
| 2.3 蒙特卡罗中子输运程序 | 第19-23页 |
| 2.3.1 程序简介 | 第19-20页 |
| 2.3.2 输入文件 | 第20-21页 |
| 2.3.3 核数据库 | 第21-22页 |
| 2.3.4 常用功能卡 | 第22-23页 |
| 2.4 中子活化理论 | 第23-24页 |
| 2.5 中子活化计算程序 | 第24-26页 |
| 2.6 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 CFETR氦冷陶瓷增殖包层模型 | 第27-34页 |
| 3.1 CFETR总体介绍 | 第27-28页 |
| 3.1.1 CFETR设计目标 | 第27页 |
| 3.1.2 CFETR三维模型 | 第27-28页 |
| 3.2 包层系统整体布置 | 第28-29页 |
| 3.3 氦冷陶瓷增殖包层方案介绍 | 第29-32页 |
| 3.3.1 包层材料选取 | 第29-30页 |
| 3.3.2 包层设计思路 | 第30-32页 |
| 3.4 氦冷陶瓷增殖包层中子学模型 | 第32-33页 |
| 3.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 CFETR氦冷陶瓷增殖包层中子输运分析 | 第34-48页 |
| 4.1 中子源分布的数值模拟 | 第34-37页 |
| 4.1.1 中子源分布描述 | 第34-36页 |
| 4.1.2 中子源分布模拟 | 第36-37页 |
| 4.2 氚增殖比 | 第37-39页 |
| 4.3 中子壁负载 | 第39-41页 |
| 4.4 中子通量密度 | 第41-42页 |
| 4.5 核热分布 | 第42-44页 |
| 4.6 氦气产生率 | 第44-45页 |
| 4.7 原子离位损伤 | 第45-46页 |
| 4.8 本章小结 | 第46-48页 |
| 第5章 CFETR氦冷陶瓷增殖包层中子活化分析 | 第48-58页 |
| 5.1 放射性活度 | 第48-50页 |
| 5.2 衰变余热 | 第50-52页 |
| 5.3 停堆剂量率 | 第52-57页 |
| 5.3.1 传统计算方法 | 第52-53页 |
| 5.3.2 基于网格计数的严格两步法 | 第53-55页 |
| 5.3.3 结果分析 | 第55-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 总结与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第64页 |
