| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 稀磁半导体研究概述 | 第11-13页 |
| 1.2.1 稀磁半导体介绍 | 第11-12页 |
| 1.2.2 稀磁半导体研究进展 | 第12-13页 |
| 1.3 二硫化钼（MoS_2）研究概述 | 第13-15页 |
| 1.3.1 二硫化钼（MoS_2）介绍 | 第13-14页 |
| 1.3.2 二硫化钼（MoS_2）研究进展 | 第14-15页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 第一性原理计算法简介 | 第17-23页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 第一性原理（First-Principles）计算方法 | 第17-19页 |
| 2.2.1 绝热近似 | 第18页 |
| 2.2.2 单电子近似 | 第18-19页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第19-21页 |
| 2.3.1 局域密度近似（LDA） | 第20-21页 |
| 2.3.2 广义梯度近似（GGA） | 第21页 |
| 2.4 计算软件 Materials Studio 简介 | 第21-22页 |
| 2.5 本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 单层 MoS_2及掺杂的磁性质研究 | 第23-44页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 理论模型与计算方法 | 第23-27页 |
| 3.2.1 理论模型的建立 | 第23-24页 |
| 3.2.2 收敛性测试 | 第24-26页 |
| 3.2.3 计算方法 | 第26-27页 |
| 3.3 未掺杂的 MoS_2计算结果及分析 | 第27-30页 |
| 3.3.1 电子结构 | 第27页 |
| 3.3.2 能带及态密度 | 第27-29页 |
| 3.3.3 电荷密度 | 第29-30页 |
| 3.4 过渡金属原子掺杂的 MoS_2计算结果分析 | 第30-36页 |
| 3.4.1 电子结构 | 第30-31页 |
| 3.4.2 能带结构及态密度 | 第31-33页 |
| 3.4.3 电荷密度及磁性质分析 | 第33-36页 |
| 3.5 Mn 掺杂 MoS_2磁性质研究 | 第36-39页 |
| 3.5.1 IVA 族非磁性原子掺杂 MoS_2结果分析 | 第36-38页 |
| 3.5.2 Si、Mn 原子共掺杂 MoS_2结果分析 | 第38-39页 |
| 3.6 Fe 掺杂 MoS_2磁性质研究 | 第39-43页 |
| 3.6.1 共掺杂原子的选择 | 第39-40页 |
| 3.6.2 Fe 与 VA 族原子对 MoS_2共掺杂结果分析 | 第40-43页 |
| 3.7 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 双层 MoS_2及掺杂的磁性质研究 | 第44-54页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 理论模型与计算方法 | 第44-46页 |
| 4.2.1 理论模型的建立 | 第44-45页 |
| 4.2.2 计算方法 | 第45-46页 |
| 4.3 未掺杂双层 MoS_2计算结果分析 | 第46-48页 |
| 4.3.1 电子结构 | 第46页 |
| 4.3.2 能带及态密度 | 第46-47页 |
| 4.3.3 电荷密度 | 第47-48页 |
| 4.4 过渡金属原子掺杂双层 MoS_2计算结果分析 | 第48-53页 |
| 4.4.1 电子结构 | 第49页 |
| 4.4.2 能带及态密度 | 第49-51页 |
| 4.4.3 电荷密度 | 第51-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
