| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 研究背景与意义 | 第12-16页 |
| 1.2.1 研究背景 | 第12-14页 |
| 1.2.2 国内外研究现状 | 第14-15页 |
| 1.2.3 研究意义 | 第15-16页 |
| 1.3 本论文所做的主要工作 | 第16-17页 |
| 1.4 论文的结构安排 | 第17页 |
| 1.5 本章小结 | 第17-18页 |
| 第二章 空间天然辐射环境 | 第18-33页 |
| 2.1 引言 | 第18-19页 |
| 2.2 空间天然辐射环境 | 第19-26页 |
| 2.2.1 地球辐射带 | 第19-23页 |
| 2.2.2 太阳粒子事件 | 第23-25页 |
| 2.2.3 银河宇宙射线 | 第25-26页 |
| 2.3 典型卫星轨道的外辐射环境分析 | 第26-32页 |
| 2.3.1 低倾角低地球轨道 | 第26页 |
| 2.3.2 太阳同步轨道 | 第26-28页 |
| 2.3.3 地球同步轨道 | 第28-29页 |
| 2.3.4 典型卫星内部的辐射环境 | 第29-31页 |
| 2.3.5 各种空间天然辐射环境对不同轨道卫星的影响总结 | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 空间辐射效应简介 | 第33-53页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 空间辐射效应综述 | 第33-35页 |
| 3.3 MOS结构器件的电离总剂量效应机理 | 第35-43页 |
| 3.3.1 MOS结构器件内部的电荷和陷阱 | 第35-36页 |
| 3.3.2 电离总剂量效应在MOS结构器件中引入缺陷的过程 | 第36-38页 |
| 3.3.3 电离总剂量效应对MOS结构器件特性参数的影响 | 第38-43页 |
| 3.4 单粒子效应机理 | 第43-52页 |
| 3.4.1 单粒子效应类型 | 第43-44页 |
| 3.4.2 单粒子翻转机理 | 第44-47页 |
| 3.4.3 单粒子闩锁机理 | 第47-49页 |
| 3.4.4 单粒子烧毁机理 | 第49-50页 |
| 3.4.5 单粒子栅穿机理 | 第50-51页 |
| 3.4.6 单粒子功能中断 | 第51页 |
| 3.4.7 SRAM存储器敏感的单粒子效应种类 | 第51-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 典型SRAM存储器的电离总剂量效应研究 | 第53-68页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 研究对象的选取 | 第53-55页 |
| 4.3 典型SRAM存储器电离总剂量效应试验测试系统建立 | 第55-56页 |
| 4.4 典型SRAM存储器电离总剂量效应试验研究结果 | 第56-67页 |
| 4.4.1 模拟试验条件 | 第56-58页 |
| 4.4.2 辐照试验结果 | 第58-62页 |
| 4.4.3 加速退火试验结果 | 第62-65页 |
| 4.4.4 结果分析与讨论 | 第65-66页 |
| 4.4.5 总结 | 第66-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 典型SRAM存储器的单粒子效应研究 | 第68-81页 |
| 5.1 引言 | 第68页 |
| 5.2 研究对象的选取 | 第68-69页 |
| 5.3 单粒子效应试验研究 | 第69-75页 |
| 5.3.1 辐照试验条件 | 第69-71页 |
| 5.3.2 试验数据拟合方法 | 第71-72页 |
| 5.3.3 试验结果 | 第72-74页 |
| 5.3.4 结果分析与讨论 | 第74-75页 |
| 5.4 SRAM空间单粒子翻转率预估 | 第75-80页 |
| 5.4.1 质子单粒子翻转率预估方法 | 第75-76页 |
| 5.4.2 重离子单粒子翻转率预估方法 | 第76-77页 |
| 5.4.3 FOM法 | 第77-78页 |
| 5.4.4 典型轨道下SRAM存储器单粒子翻转率计算实例 | 第78-80页 |
| 5.5 本章小结 | 第80-81页 |
| 第六章 典型SRAM存储器空间辐射效应模拟试验方法建立 | 第81-93页 |
| 6.1 引言 | 第81页 |
| 6.2 SRAM存储器电离总剂量效应模拟试验方法建立 | 第81-85页 |
| 6.2.1 电离总剂量效应模拟试验方法组成要素分析 | 第81-82页 |
| 6.2.2 电离总剂量效应模拟试验辐射源条件分析 | 第82页 |
| 6.2.3 电离总剂量效应模拟试验辐照剂量率条件分析 | 第82-84页 |
| 6.2.4 电离总剂量效应模拟试验辐照偏置条件分析 | 第84页 |
| 6.2.5 电离总剂量效应模拟试验电参数测量分析 | 第84页 |
| 6.2.6 电离总剂量效应模拟试验加速退火试验条件分析 | 第84-85页 |
| 6.3 SRAM存储器单粒子效应模拟试验方法建立 | 第85-92页 |
| 6.3.1 单粒子效应模拟试验方法组成要素分析 | 第85-86页 |
| 6.3.2 单粒子效应模拟试验辐射源条件分析 | 第86-88页 |
| 6.3.3 单粒子效应模拟试验中器件制备条件分析 | 第88页 |
| 6.3.4 单粒子效应模拟试验中重离子LET值条件分析 | 第88-90页 |
| 6.3.5 单粒子效应模拟试验中重离子射程条件分析 | 第90页 |
| 6.3.6 单粒子效应模拟试验中重离子注量率条件分析 | 第90页 |
| 6.3.7 单粒子效应模拟试验中重离子注量条件分析 | 第90-91页 |
| 6.3.8 单粒子效应模拟试验中重离子注量条件分析 | 第91页 |
| 6.3.9 单粒子效应模拟试验中辐照偏置条件分析 | 第91-92页 |
| 6.4 研究成果应用 | 第92页 |
| 6.5 本章小结 | 第92-93页 |
| 第七章 结束语 | 第93-95页 |
| 7.1 主要工作 | 第93-94页 |
| 7.2 后续研究工作 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第100页 |
