| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 课题来源 | 第9页 |
| 1.2 课题研究目的及意义 | 第9-11页 |
| 1.3 超光滑表面加工技术国内外发展概况 | 第11-15页 |
| 1.3.1 接触式抛光方法 | 第11-12页 |
| 1.3.2 准接触式抛光方法 | 第12页 |
| 1.3.3 非接触式抛光方法 | 第12-15页 |
| 1.4 大气等离子体技术国内外发展概况 | 第15-18页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 电感耦合等离子体加工系统搭建 | 第20-37页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 电感耦合等离子体加工原理 | 第20-23页 |
| 2.2.1 ICP 加工的化学原理 | 第20-21页 |
| 2.2.2 ICP 加工的动力学原理基础 | 第21-23页 |
| 2.3 电感耦合等离子体发生机理 | 第23-32页 |
| 2.3.1 ICP 的产生 | 第23-24页 |
| 2.3.2 ICP 的物理性质 | 第24-29页 |
| 2.3.3 ICP 的电离激发原理 | 第29-32页 |
| 2.4 电感耦合等离子体加工系统的搭建 | 第32-36页 |
| 2.4.1 电感耦合等离子体（ICP）射流加工系统的组成和搭建 | 第32-35页 |
| 2.4.2 电感耦合等离子体（ICP）加工系统的调试 | 第35-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 硅基材料去除率的变化规律研究 | 第37-58页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 电感耦合等离子体加工过程诊断方法 | 第37-39页 |
| 3.2.1 等离子体光谱监测 | 第37-38页 |
| 3.2.2 温度测量 | 第38页 |
| 3.2.3 材料去除率测量 | 第38页 |
| 3.2.4 表面形貌检测 | 第38-39页 |
| 3.3 实验参数对去除率的影响规律研究 | 第39-55页 |
| 3.3.1 ICP 加工特性研究 | 第40-44页 |
| 3.3.2 加工距离 | 第44-45页 |
| 3.3.3 加工功率 | 第45-46页 |
| 3.3.4 加工时间 | 第46-47页 |
| 3.3.5 等离子体气体流量 | 第47-48页 |
| 3.3.6 辅助气体流量 | 第48-49页 |
| 3.3.7 反应气体 CF_4流量 | 第49-52页 |
| 3.3.8 O_2/CF_4比例 | 第52-55页 |
| 3.4 均匀去除 | 第55-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 第4章 硅基材料表面粗糙度的演变规律研究 | 第58-70页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 SIC 表面粗糙度的演变 | 第58-62页 |
| 4.2.1 ICP 加工对 SiC 表面粗糙度的影响 | 第58-60页 |
| 4.2.2 加工深度对 SiC 表面粗糙度的影响 | 第60-61页 |
| 4.2.3 O_2/CF_4比例对 SiC 表面粗糙度的影响 | 第61-62页 |
| 4.3 SIO_2表面粗糙度的演变 | 第62-69页 |
| 4.3.1 加工深度对抛光 SiO_2表面粗糙度的影响 | 第62-66页 |
| 4.3.2 加工深度对磨削 SiO_2表面粗糙度的影响 | 第66-68页 |
| 4.3.3 O_2/CF_4比例对抛光 SiO_2表面粗糙度的影响 | 第68-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
