| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 Si基CMOS集成电路的发展历程 | 第9-10页 |
| 1.2 高k栅介质的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 GeOI结构的研究意义 | 第12-13页 |
| 1.4 GeOI与Ge MOS器件的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.5 本文主要研究工作与内容安排 | 第15-16页 |
| 2 GeOI p MOSFETs空穴迁移率的基本模型 | 第16-29页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 费米黄金法则 | 第16-18页 |
| 2.3 迁移率模型 | 第18-23页 |
| 2.4 结果及讨论 | 第23-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 小尺寸堆栈高k栅介质超薄GeOI p MOSFETs空穴迁移率模型 | 第29-44页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 物理模型的建立 | 第29-35页 |
| 3.3 仿真结果与讨论 | 第35-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 4 Zr ON/Ge ON双钝化层Ge MOS器件制备及电性能研究 | 第44-53页 |
| 4.1 引言 | 第44-45页 |
| 4.2 Ge MOS器件制备工艺及性能表征 | 第45-47页 |
| 4.3 Zr ON/Ge ON双钝化层Ge MOS器件制备 | 第47页 |
| 4.4 电性能测量与结果分析 | 第47-50页 |
| 4.5 界面化学键的XPS分析 | 第50-52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 5 Zr YON钝化层Ge MOS器件制备及电性能研究 | 第53-58页 |
| 5.1 引言 | 第53页 |
| 5.2 Zr YON钝化层Ge MOS器件制备 | 第53-54页 |
| 5.3 电性能测量与结果分析 | 第54-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 6 工作总结及展望 | 第58-61页 |
| 6.1 总结及创新点 | 第58-60页 |
| 6.2 工作展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-71页 |
| 附录 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第71页 |
