4H-SiC功率BJT器件仿真与特征研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第8-11页 |
| ·碳化硅功率器件发展回顾 | 第11-12页 |
| ·碳化硅功率BJT国内外研究现状 | 第12-14页 |
| ·主要研究思想和研究内容 | 第14-16页 |
| 2 4H-SiC器件仿真的物理模型和材料参数 | 第16-30页 |
| ·数值计算的基本方法 | 第16-18页 |
| ·Silvaco-TCAD器件仿真中的物理模型 | 第18-24页 |
| ·迁移率模型 | 第19-21页 |
| ·禁带宽度变窄模型 | 第21页 |
| ·杂质不完全离化模型 | 第21-22页 |
| ·碰撞电离模型 | 第22-23页 |
| ·SRH产生-复合模型与Auger复合模型 | 第23-24页 |
| ·双极型器件材料优选 | 第24-26页 |
| ·Johnson因子 | 第24-25页 |
| ·Keyes因子 | 第25-26页 |
| ·4H-SiC功率BJT设计原则 | 第26-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 3 4H-SiC功率BJT的击穿电压与增益 | 第30-49页 |
| ·BJT的基本电学特性 | 第30页 |
| ·击穿电压 | 第30-43页 |
| ·二次击穿及安全工作区 | 第32-35页 |
| ·结终端对击穿电压的影响 | 第35-39页 |
| ·缓冲层对击穿电压的影响 | 第39-43页 |
| ·电流增益 | 第43-48页 |
| ·少子寿命对电流增益的影响 | 第45-46页 |
| ·界面态密度对电流增益的影响 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 4 4H-SiC功率BJT的频率响应和功耗 | 第49-56页 |
| ·频率响应 | 第49-51页 |
| ·功耗 | 第51-55页 |
| ·导通损失 | 第52页 |
| ·开关损失 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 5 工艺流程及关键工艺 | 第56-60页 |
| ·工艺流程 | 第57页 |
| ·欧姆接触工艺 | 第57-58页 |
| ·图形刻蚀技术 | 第58页 |
| ·离子注入和退火 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
