| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 储存器的分类和发展 | 第16-17页 |
| 1.2 非挥发性存储器 | 第17-23页 |
| 1.2.1 传统浮栅Flash技术 | 第17-18页 |
| 1.2.2 新型非挥发存储技术 | 第18-23页 |
| 1.3 本章小结及论文章节安排 | 第23-26页 |
| 第二章 RRAM概述 | 第26-42页 |
| 2.1 RRAM的工作原理 | 第26-29页 |
| 2.1.1 Forming | 第26-27页 |
| 2.1.2 RRAM的两种操作类型 | 第27-29页 |
| 2.2 RRAM的材料 | 第29-32页 |
| 2.2.1 多元氧化物 | 第29页 |
| 2.2.2 固态电解质材料 | 第29-31页 |
| 2.2.3 有机材料 | 第31页 |
| 2.2.4 二元金属氧化物 | 第31-32页 |
| 2.3 阻变的机制 | 第32-38页 |
| 2.3.1 缺陷能级电荷充放电 | 第32-33页 |
| 2.3.2 空间电荷限制(SCLC) | 第33-35页 |
| 2.3.3 界面势全调制效应 | 第35页 |
| 2.3.4 导电细丝 | 第35-38页 |
| 2.4 影响阻变特性的主要因素 | 第38-40页 |
| 2.4.1 器件结构对阻变特性的影响 | 第38-39页 |
| 2.4.2 电极材料对器件阻变特性的影响 | 第39页 |
| 2.4.3 掺杂对阻变特性的影响 | 第39-40页 |
| 2.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 ECM建模及仿真基础 | 第42-52页 |
| 3.1 固体中电子和离子的输运 | 第42-43页 |
| 3.2 电子在金属阻变介质(MI)界面的输运 | 第43-45页 |
| 3.3 电子在金属/介质层/金属(MIM)结构中的输运 | 第45-47页 |
| 3.4 金属离子还原电结晶 | 第47-49页 |
| 3.5 常微分方程求解 | 第49-50页 |
| 3.6 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 ECM建模及仿真 | 第52-68页 |
| 4.1 建模中涉及的问题 | 第52-54页 |
| 4.2 基于ECM单元的一维物理模型 | 第54-58页 |
| 4.3 ECM单元阻变特性仿真 | 第58-66页 |
| 4.3.1 I-V特性仿真 | 第59-60页 |
| 4.3.2 隧穿间隙仿真 | 第60-62页 |
| 4.3.3 隧穿电流和离子电流仿真 | 第62-63页 |
| 4.3.4 细丝及电极半径对阻变特性的影响 | 第63-65页 |
| 4.3.5 不同电极材料对阻变特性的影响 | 第65-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 总结和展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 作者简介 | 第76-77页 |