二维碳化硅结构第一性原理研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-18页 |
| 1.1.1 石墨烯的基本结构 | 第10-12页 |
| 1.1.2 石墨烯的特性 | 第12-13页 |
| 1.1.3 石墨烯的制备 | 第13-14页 |
| 1.1.4 石墨烯的应用 | 第14-15页 |
| 1.1.5 碳化硅以及其他二维结构的介绍 | 第15-17页 |
| 1.1.6 第一性原理 | 第17-18页 |
| 1.1.7 计算设备与相关软件 | 第18页 |
| 1.2 研究目的与结构安排 | 第18-20页 |
| 1.2.1 研究目的 | 第18-19页 |
| 1.2.2 论文结构安排 | 第19-20页 |
| 2 氢化SiC结构的研究 | 第20-29页 |
| 2.1 全氢化SiC平面的研究 | 第20-25页 |
| 2.1.1 计算方法 | 第21页 |
| 2.1.2 二维SiC结构分析 | 第21-22页 |
| 2.1.3 对SiC平面两侧氢化的研究 | 第22-24页 |
| 2.1.4 对SiC平面同侧氢化的研究 | 第24-25页 |
| 2.1.5 结论 | 第25页 |
| 2.2 半氢化SiC结构研究 | 第25-29页 |
| 2.2.1 C原子吸氢 | 第25-27页 |
| 2.2.2 Si原子吸氢 | 第27-28页 |
| 2.2.3 结论 | 第28-29页 |
| 3 氟化SiC平面研究 | 第29-36页 |
| 3.1 全氟化SiC结构的研究 | 第29-32页 |
| 3.1.1 不同侧全氟化SiC | 第29-31页 |
| 3.1.2 同侧全氟化SiC | 第31-32页 |
| 3.1.3 结论 | 第32页 |
| 3.2 半氟化SiC结构研究 | 第32-35页 |
| 3.2.1 在C原子上吸氟 | 第32-34页 |
| 3.2.2 在Si原子上吸氟 | 第34-35页 |
| 3.3 总结 | 第35-36页 |
| 4 SiC同时吸附H原子与F原子 | 第36-40页 |
| 4.1 硅原子吸氢碳原子吸氟 | 第36-37页 |
| 4.2 碳原子吸氢硅原子吸氟 | 第37-39页 |
| 4.3 总结 | 第39-40页 |
| 5 缺陷对SiC结构的影响 | 第40-49页 |
| 5.1 C原子单空位缺陷 | 第41-42页 |
| 5.2 Si原子单空位缺陷 | 第42-44页 |
| 5.3 相邻位Si原子与C原子双空位缺陷 | 第44-45页 |
| 5.4 非相邻位C原子双空位缺陷 | 第45-46页 |
| 5.5 非相邻位Si原子双空位缺陷 | 第46-48页 |
| 5.6 总结 | 第48-49页 |
| 6 总结与展望 | 第49-50页 |
| 6.1 总结 | 第49页 |
| 6.2 展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 附录 硕士期间发表的论文 | 第57-58页 |
