基于GaAs工艺的低噪声放大器及ESD保护电路设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外的研究现状 | 第9-11页 |
| 1.3 研究内容与设计指标 | 第11-12页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第11-12页 |
| 1.3.2 设计指标 | 第12页 |
| 1.4 论文组织 | 第12-14页 |
| 第二章 低噪声放大器的指标 | 第14-20页 |
| 2.1 低噪声放大器的指标 | 第14-15页 |
| 2.2 功率增益 | 第15页 |
| 2.3 噪声系数 | 第15-17页 |
| 2.4 稳定性 | 第17页 |
| 2.5 线性度 | 第17-19页 |
| 2.6 端口匹配 | 第19页 |
| 2.7 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 无源器件 | 第20-30页 |
| 3.1 电容 | 第20-23页 |
| 3.2 电感 | 第23-28页 |
| 3.2.1 平面螺旋电感 | 第24-27页 |
| 3.2.2 键合线电感 | 第27-28页 |
| 3.3 电阻 | 第28页 |
| 3.4 串并联阻抗变换 | 第28-29页 |
| 3.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 GaAs低噪声放大器的设计及后仿真 | 第30-52页 |
| 4.1 GaAs工艺中晶体管性能 | 第30-33页 |
| 4.1.1 电流截止特征频率 | 第30-32页 |
| 4.1.2 单位功率增益频率 | 第32-33页 |
| 4.2 低噪声放大器的常用结构及其噪声分析 | 第33-38页 |
| 4.2.1 低噪声放大器的结构 | 第33-35页 |
| 4.2.2 不同电路结构的噪声分析 | 第35-38页 |
| 4.3 低噪声放大器原理图设计及相应仿真结果 | 第38-46页 |
| 4.3.1 LNA前级电路设计 | 第38-41页 |
| 4.3.2 LNA后级电路设计 | 第41-43页 |
| 4.3.3 LNA原理图实现与前仿真 | 第43-45页 |
| 4.3.4 含有去耦电容的LNA拓扑结构 | 第45-46页 |
| 4.4 LNA版图及后仿真 | 第46-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 ESD的设计及后仿真 | 第52-60页 |
| 5.1 ESD保护电路基本原理 | 第52-54页 |
| 5.2 砷化镓ESD电路的设计 | 第54-58页 |
| 5.3 加入ESD后LNA版图设计及后仿真 | 第58-59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 6.1 总结 | 第60页 |
| 6.2 展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 附录：攻读硕士学位期间发表的论文 | 第70页 |
