| 中文摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 稀磁半导体的性质 | 第12-27页 |
| 1.2.1 反常霍尔效应 | 第12-14页 |
| 1.2.2 导体-绝缘体转变 | 第14-15页 |
| 1.2.3 负磁阻效应 | 第15页 |
| 1.2.4 SiC材料的结构与性质 | 第15-16页 |
| 1.2.5 SiC稀磁半导体研究现状 | 第16-24页 |
| 1.2.6 SiC稀磁半导体存在问题 | 第24-26页 |
| 1.2.8 研究内容 | 第26-27页 |
| 第二章 样品的制备与表征 | 第27-34页 |
| 2.1 样品的制备 | 第27-28页 |
| 2.1.1 超高真空磁控溅射镀膜设备 | 第27页 |
| 2.1.2 衬底基片处理过程 | 第27-28页 |
| 2.1.3 样品退火设备 | 第28页 |
| 2.2 样品的表征 | 第28-34页 |
| 2.2.1 X-射线衍射 （XRD） | 第28-29页 |
| 2.2.2 X-射线光电子能谱（XPS） | 第29页 |
| 2.2.3 能谱仪 (EDS) | 第29-30页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜 (SEM) | 第30页 |
| 2.2.5 X射线吸收精细结构(XAFS) | 第30-32页 |
| 2.2.6 电输运性质测试 | 第32页 |
| 2.2.7 磁学性质测试 | 第32-34页 |
| 第三章 Ni掺杂SiC基稀磁半导体薄膜的制备、结构与性能 | 第34-48页 |
| 3.1 实验过程 | 第34-35页 |
| 3.2 Ni掺杂SiC薄膜的实验结果与讨论 | 第35-46页 |
| 3.2.1 Ni 掺杂 Si C 薄膜 Ni 的含量 | 第35页 |
| 3.2.2 Ni掺杂SiC薄膜的晶体结构和物相 | 第35-37页 |
| 3.2.3 Ni掺杂SiC薄膜的成分与价态 | 第37-38页 |
| 3.2.4 Ni掺杂SiC薄膜的近边精细结构 | 第38-42页 |
| 3.2.5 Ni掺杂SiC薄膜霍尔测试 | 第42-43页 |
| 3.2.6 Ni掺杂SiC薄膜R-T曲线分析 | 第43-44页 |
| 3.2.7 Ni掺杂SiC薄膜的磁性能 | 第44-45页 |
| 3.2.8 Ni掺杂SiC薄膜铁磁性起源分析 | 第45-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 Ni、N共掺杂SiC基稀磁半导体薄膜的制备、结构与性能 | 第48-63页 |
| 4.1 实验过程 | 第48页 |
| 4.2 Ni、N共掺杂SiC薄膜的实验结果与讨论 | 第48-61页 |
| 4.2.1 Ni、N共掺杂SiC薄膜Ni、N的含量 | 第48-49页 |
| 4.2.2 Ni、N共掺杂SiC薄膜的晶体结构和物相 | 第49-50页 |
| 4.2.3 Ni、N共掺杂SiC薄膜的成分与价态 | 第50-53页 |
| 4.2.4 Ni、N共掺杂SiC薄膜的近边精细结构 | 第53-57页 |
| 4.2.5 Ni、N共掺杂SiC薄膜Hall分析 | 第57-58页 |
| 4.2.6 Ni、N共掺杂SiC薄膜R-T曲线分析 | 第58-59页 |
| 4.2.7 Ni、N共掺杂SiC薄膜的磁性能 | 第59-61页 |
| 4.2.8 Ni、N共掺杂SiC薄膜铁磁性起源分析 | 第61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 Ni、Al共掺杂SiC基稀磁半导体薄膜的制备、结构与性能 | 第63-78页 |
| 5.1 实验过程 | 第63-64页 |
| 5.2 Ni、Al共掺杂SiC薄膜的实验结果与讨论 | 第64-77页 |
| 5.2.1 Ni、Al共掺杂SiC薄膜Ni、Al的含量 | 第64页 |
| 5.2.2 Ni、Al共掺杂SiC薄膜的晶体结构和物相 | 第64-66页 |
| 5.2.3 Ni、Al共掺杂SiC薄膜的成分与价态 | 第66-68页 |
| 5.2.4 Ni、Al共掺杂SiC薄膜的近边精细结构 | 第68-72页 |
| 5.2.5 Ni、Al共掺杂SiC薄膜Hall分析 | 第72-74页 |
| 5.2.6 Ni、Al共掺杂SiC薄膜R-T曲线分析 | 第74-75页 |
| 5.2.7 Ni、Al共掺杂SiC薄膜的磁性能 | 第75-76页 |
| 5.2.8 Ni、Al共掺杂SiC薄膜铁磁性起源分析 | 第76-77页 |
| 5.3 本章小结 | 第77-78页 |
| 第六章 结论 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-85页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
