双极晶体管电离缺陷演化规律及物理模型研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9页 |
| 1.2 低剂量率辐射损伤增强效应研究概况 | 第9-14页 |
| 1.3 电场对电子器件辐射损伤作用研究概况 | 第14-17页 |
| 1.4 预加温处理对电子器件辐射损伤作用研究概况 | 第17-19页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第2章 电离缺陷演化研究方法 | 第20-23页 |
| 2.1 试验样品 | 第20页 |
| 2.2 辐照试验 | 第20-21页 |
| 2.3 测试内容与测试仪器 | 第21页 |
| 2.4 物理模型构建方法 | 第21-23页 |
| 第3章 双极晶体管辐射损伤 | 第23-42页 |
| 3.1 不同剂量率辐照损伤结果 | 第23-27页 |
| 3.2 电场对辐射损伤的影响 | 第27-31页 |
| 3.3 预加温处理辐射损伤结果 | 第31-34页 |
| 3.4 电场和预加温处理综合作用 | 第34-40页 |
| 3.4.1 预加温处理后电场的影响规律 | 第34-37页 |
| 3.4.2 预加温处理前后剂量率的影响规律 | 第37-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 电离缺陷演化物理模型 | 第42-68页 |
| 4.1 电离缺陷演化模型建立和有效性 | 第42-52页 |
| 4.1.1 器件模型建立 | 第42-46页 |
| 4.1.2 器件模型检验 | 第46-52页 |
| 4.2 不同剂量率模型计算结果 | 第52-53页 |
| 4.3 不同电场条件模型计算结果 | 第53-57页 |
| 4.4 不同缺陷状态模型计算结果 | 第57-64页 |
| 4.4.1 缺陷浓度对缺陷演化的影响 | 第57-63页 |
| 4.4.2 俘获心能级对缺陷演化的影响 | 第63-64页 |
| 4.5 多种条件作用下模型结果与辐照试验结果对比 | 第64-67页 |
| 4.6 本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
