基于忆阻器的耦合行为与突触电路研究
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第9-17页 |
| 1.1 忆阻器的研究现状 | 第9-13页 |
| 1.1.1 忆阻器理论 | 第9-10页 |
| 1.1.2 忆阻器的发展 | 第10页 |
| 1.1.3 忆阻器的模型 | 第10-12页 |
| 1.1.4 忆阻器的制作工艺 | 第12-13页 |
| 1.2 忆阻器耦合行为的研究现状 | 第13页 |
| 1.3 忆阻器与神经网络的发展 | 第13-14页 |
| 1.4 论文研究意义 | 第14页 |
| 1.5 论文主要工作及结构 | 第14-17页 |
| 第二章 三类忆阻器的数学模型及仿真 | 第17-27页 |
| 2.1 惠普忆阻器 | 第17-19页 |
| 2.1.1 惠普忆阻器的数学模型及仿真 | 第17-18页 |
| 2.1.2 非线性窗函数的引入 | 第18-19页 |
| 2.2 自旋忆阻器 | 第19-22页 |
| 2.2.1 自旋忆阻器的基本原理 | 第19-20页 |
| 2.2.2 自旋忆阻器的模型 | 第20-22页 |
| 2.3 磁控耦合忆阻器 | 第22-25页 |
| 2.3.1 磁控忆阻器的数学模型及仿真 | 第22-24页 |
| 2.3.2 磁控耦合忆阻器的数学模型 | 第24-25页 |
| 2.4 小结 | 第25-27页 |
| 第三章 基于磁控忆阻器的耦合连接特性 | 第27-41页 |
| 3.1 忆阻器串并联的耦合效应 | 第27-32页 |
| 3.1.1 同向忆阻器的串联 | 第27-29页 |
| 3.1.2 反向忆阻器的串联 | 第29-31页 |
| 3.1.3 同向忆阻器的并联 | 第31页 |
| 3.1.4 反向忆阻器的并联 | 第31-32页 |
| 3.2 仿真结果分析 | 第32-36页 |
| 3.2.1 同向串联电路 | 第32-33页 |
| 3.2.2 反向串联电路 | 第33-34页 |
| 3.2.3 同向并联电路 | 第34-35页 |
| 3.2.4 反向并联电路 | 第35-36页 |
| 3.3 图形用户界面的设计 | 第36-37页 |
| 3.4 初始阻值对忆阻器正常工作范围的影响 | 第37-38页 |
| 3.5 Pspice电路仿真器的实现 | 第38-40页 |
| 3.6 小结 | 第40-41页 |
| 第四章 新型忆阻桥突触电路 | 第41-47页 |
| 4.1 忆阻桥突触电路 | 第41-43页 |
| 4.2 改进的忆阻桥突触电路 | 第43-45页 |
| 4.3 小结 | 第45-47页 |
| 第五章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 5.1 本文的主要工作 | 第47页 |
| 5.2 下一步工作思路 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 攻读硕士期间已发表的学术论文 | 第57页 |
| 攻读硕士期间参加的科研项目 | 第57页 |
