低维CdS纳米结构器件的制备及其光电性能研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 引言 | 第10-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-13页 |
| 1.2 低维CdS纳米器件的发展现状 | 第13-18页 |
| 1.3 CdS纳米材料性质 | 第18-19页 |
| 1.4 局域表面等离激元 | 第19-20页 |
| 1.5 离子注入技术 | 第20-21页 |
| 1.6 本论文的主要研究工作 | 第21-23页 |
| 第2章 实验药品和仪器 | 第23-32页 |
| 2.1 实验药品及实验设备 | 第23-24页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第23页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第23-24页 |
| 2.2 实验仪器 | 第24-29页 |
| 2.2.1 化学气相沉积系统 | 第24页 |
| 2.2.2 表征仪器 | 第24-27页 |
| 2.2.3 电子束曝光系统 | 第27-29页 |
| 2.3 器件制备工艺 | 第29-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 低维CdS纳米材料的制备 | 第32-38页 |
| 3.1 一维CdS纳米结构的制备 | 第32-35页 |
| 3.1.1 CdS纳米线的合成 | 第33-34页 |
| 3.1.2 CdS纳米带的合成 | 第34-35页 |
| 3.2 三维树枝状CdS纳米结构材料的制备 | 第35-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 S离子注入对CdS纳米带光电性能影响研究 | 第38-45页 |
| 4.1 实验部分 | 第38-39页 |
| 4.1.1 纳米带的合成 | 第38-39页 |
| 4.1.2 离子注入 | 第39页 |
| 4.1.3 纳米带的表征及器件制备 | 第39页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第39-44页 |
| 4.2.1 形貌及结构表征 | 第39-42页 |
| 4.2.2 性能影响分析 | 第42-44页 |
| 4.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第5章 三维树枝状CdS纳米结构的原位研究 | 第45-50页 |
| 5.1 实验部分 | 第46页 |
| 5.2 实验结果与讨论 | 第46-49页 |
| 5.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第6章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 附录 | 第58页 |
