基于SMIC 0.13um工艺的动态视觉传感器设计
摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第9-17页 |
1.1 研究背景 | 第9页 |
1.2 传统的图像传感器 | 第9-12页 |
1.3 硅视网膜系统 | 第12-15页 |
1.3.1 硅视网膜芯片 | 第13-14页 |
1.3.2 硅视网膜芯片国内外发展状况 | 第14-15页 |
1.4 研究点与选题意义 | 第15-16页 |
1.5 文章内容安排 | 第16-17页 |
第2章 DVS像素设计 | 第17-29页 |
2.1 像素仿生模型 | 第17-18页 |
2.2 PD器件仿真 | 第18-20页 |
2.3 像素预处理电路原理 | 第20-23页 |
2.3.1 光电对数转换单元 | 第20-22页 |
2.3.2 变化检测单元 | 第22页 |
2.3.3 比较器单元 | 第22-23页 |
2.4 像素仿真结果 | 第23-25页 |
2.5 像素版图设计 | 第25-28页 |
2.6 本章小结 | 第28-29页 |
第3章 DVS阵列架构设计 | 第29-38页 |
3.1 AER通信原理 | 第29-30页 |
3.2 DVS阵列框架工作原理 | 第30页 |
3.3 仲裁模块 | 第30-33页 |
3.4 编码模块 | 第33-35页 |
3.5 逻辑控制模块 | 第35页 |
3.6 阵列架构测试分析 | 第35-37页 |
3.7 本章小结 | 第37-38页 |
第4章 DVS工艺制程 | 第38-52页 |
4.1 标准低漏电逻辑工艺介绍 | 第38-39页 |
4.2 DVS工艺制程搭建过程 | 第39-40页 |
4.3 DVS工艺制程介绍 | 第40-51页 |
4.3.1 有源区与阱工艺 | 第40-43页 |
4.3.2 器件栅工艺 | 第43-44页 |
4.3.3 PD结构工艺 | 第44-45页 |
4.3.4 源漏形成工艺 | 第45-46页 |
4.3.5 硅与金属连接工艺 | 第46-49页 |
4.3.6 后端金属层工艺 | 第49-50页 |
4.3.7 I/O端口工艺 | 第50-51页 |
4.4 本章小结 | 第51-52页 |
第5章 流片结果与测试分析 | 第52-56页 |
5.1 流片结果 | 第52-53页 |
5.2 测试及分析 | 第53-55页 |
5.2.1 测试方案 | 第53-54页 |
5.2.2 测试结果分析 | 第54-55页 |
5.3 本章小结 | 第55-56页 |
第6章 总结和展望 | 第56-58页 |
6.1 全文总结 | 第56页 |
6.2 后期工作展望 | 第56-58页 |
参考文献 | 第58-62页 |
致谢 | 第62-63页 |
攻读硕士学位期间的研究成果 | 第63页 |