NiO掺杂Cu2O基稀磁半导体的理论研究和实验结果分析
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| ·稀磁半导体的背景 | 第11-13页 |
| ·稀磁半导体的结构 | 第13-15页 |
| ·稀磁半导体的晶体结构 | 第13-14页 |
| ·稀磁半导体的能隙 | 第14-15页 |
| ·稀磁半导体的居里温度 | 第15-17页 |
| ·稀磁半导体磁性来源的理论模型 | 第17-23页 |
| ·RKKY理论和平均场理论 | 第17-19页 |
| ·双交换理论 | 第19-20页 |
| ·超交换理论 | 第20-21页 |
| ·束缚磁极化子模型(BMD理论) | 第21-23页 |
| ·稀磁半导体应用前景 | 第23-24页 |
| ·氧化物稀磁半导体研究进展 | 第24-26页 |
| ·本课题选题意义和研究内容 | 第26-28页 |
| ·选题意义 | 第26页 |
| ·研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 理论计算及分析方法 | 第28-40页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·理论计算方法背景知识 | 第28-34页 |
| ·态密度 | 第28页 |
| ·密度泛函理论 | 第28-30页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第30-32页 |
| ·自洽计算 | 第32-33页 |
| ·第一性原理 | 第33-34页 |
| ·Stoner巡游磁性 | 第34-38页 |
| ·计算软件介绍 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 实验研究方法 | 第40-44页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·样品制备方法 | 第40-41页 |
| ·固相反应法简介 | 第40页 |
| ·实验过程 | 第40-41页 |
| ·结构表征与物性测试 | 第41-42页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第41页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第41-42页 |
| ·多功能物性测量仪(PPMS) | 第42页 |
| ·实验原料及仪器 | 第42-43页 |
| ·实验原料 | 第42-43页 |
| ·实验设备及仪器 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 不同元素掺杂Cu2O的电子结构和磁性计算 | 第44-51页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·晶体模型和计算方法 | 第44-46页 |
| ·Cu2O晶体模型 | 第44-45页 |
| ·计算方法 | 第45-46页 |
| ·结果与分析 | 第46-50页 |
| ·sp-d交换作用 | 第46-48页 |
| ·掺杂元素原子间直接交换作用 | 第48页 |
| ·居里温度与载流子浓度的关系 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 Ni掺杂Cu2O实验研究结果 | 第51-56页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·表面形貌 | 第51页 |
| ·X射线衍射分析 | 第51-53页 |
| ·磁学性能测试 | 第53-55页 |
| ·掺杂样品的MH测试结果 | 第53-54页 |
| ·掺杂样品的MT测试结果 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 总结与展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士期间论文发表情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
