| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1 介质阻挡放电概述 | 第10-12页 |
| 1.1.1 气体放电与低温等离子体 | 第10页 |
| 1.1.2 介质阻挡放电 | 第10-12页 |
| 1.2 介质阻挡放电的相关应用 | 第12-19页 |
| 1.2.1 介质阻挡放电在臭氧发生方面的应用 | 第12-13页 |
| 1.2.2 介质阻挡微放电在生物医学方面的应用 | 第13-16页 |
| 1.2.3 介质阻挡微放电在材料无掩膜刻蚀和沉积方面的应用 | 第16-17页 |
| 1.2.4 介质阻挡微放电在材料表面改性和光源方面的应用 | 第17-18页 |
| 1.2.5 介质阻挡微放电在化学分析方面的应用 | 第18-19页 |
| 1.3 论文研究目的和意义 | 第19-24页 |
| 第二章 倒金字塔介质阻挡微放电二维仿真 | 第24-36页 |
| 2.1 仿真模型的选择 | 第24-29页 |
| 2.1.1 蒙特卡洛模型 | 第24-25页 |
| 2.1.2 动力学模型 | 第25页 |
| 2.1.3 流体力学模型 | 第25-29页 |
| 2.1.4 混合模型 | 第29页 |
| 2.2 MDBD建模与仿真 | 第29-31页 |
| 2.2.1 等离子体相关商业仿真软件介绍 | 第29-30页 |
| 2.2.2 MDBD建模 | 第30-31页 |
| 2.3 仿真结果与分析 | 第31-34页 |
| 2.3.1 电子密度分布 | 第31-32页 |
| 2.3.2 电势分布 | 第32-33页 |
| 2.3.3 介质材料对电子密度的影响 | 第33-34页 |
| 2.4 本章总结 | 第34-36页 |
| 第三章 介质阻挡微放电器阵列的加工制备 | 第36-56页 |
| 3.1 MDBD器件制备工艺流程 | 第36-41页 |
| 3.2 氮化硅电介质层的制备 | 第41-54页 |
| 3.2.1 多层膜应力匹配仿真 | 第45-48页 |
| 3.2.2 PECVD工艺参数对SiN_x应力和沉积速率的影响 | 第48-53页 |
| 3.2.3 制备结果 | 第53-54页 |
| 3.3 本章总结 | 第54-56页 |
| 第四章 MDBD器件性能诊断及表征 | 第56-68页 |
| 4.1 诊断表征系统介绍 | 第56-57页 |
| 4.2 MDBD器件的电学性能表征 | 第57-65页 |
| 4.2.1 放电器件与参数的选择 | 第57-59页 |
| 4.2.2 限流电阻对器件放电特性的影响 | 第59-63页 |
| 4.2.3 气压对放电特性的影响 | 第63-64页 |
| 4.2.4 外加电压对放电特性的影响 | 第64-65页 |
| 4.3 MDBD器件破坏失效原因分析 | 第65-66页 |
| 4.4 本章总结 | 第66-68页 |
| 第五章 总结及展望 | 第68-70页 |
| 5.1 总结 | 第68页 |
| 5.2 展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 在读期间发表的学术论文 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
