| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| 1.1 前言 | 第9-10页 |
| 1.2 研究背景及进展 | 第10-11页 |
| 1.3 本论文的研究意义及主要内容 | 第11-12页 |
| 第二章 实验原理 | 第12-26页 |
| 2.1 光电化学水分解简介 | 第12-15页 |
| 2.1.1 光电化学水分解过程简介 | 第12-13页 |
| 2.1.2 光电化学水分解主要技术指标和交流阻抗分析技术 | 第13-15页 |
| 2.2 TiO_2简介 | 第15-17页 |
| 2.2.1 TiO_2的基本晶格特征 | 第15-16页 |
| 2.2.2 TiO_2纳米结构的种类 | 第16-17页 |
| 2.3 TiO_2光阳极的制备方法 | 第17-19页 |
| 2.3.1 磁控溅射法 | 第17页 |
| 2.3.2 溶胶-凝胶法（Sol-gel） | 第17-18页 |
| 2.3.3 气相合成法（Aerosil） | 第18页 |
| 2.3.4 阳极氧化法（Anodization） | 第18-19页 |
| 2.3.5 水热合成法(Hydrothermal Synthesis) | 第19页 |
| 2.4 提高TiO_2光电化学水分解的方法 | 第19-26页 |
| 2.4.1 元素掺杂 | 第20页 |
| 2.4.2 修饰贵金属纳米粒子（局域表面等离激元共振效应） | 第20-21页 |
| 2.4.3 修饰窄带隙半导体量子点 | 第21-26页 |
| 第三章 TiO_2纳米结构制备所用的试剂及特征表征手段 | 第26-33页 |
| 3.1 实验试剂 | 第26页 |
| 3.2 实验仪器及其测试设备 | 第26-27页 |
| 3.3 TiO_2半导体纳米材料的结构和光电特性的表征仪器原理 | 第27-33页 |
| 3.3.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第27-28页 |
| 3.3.2 透射电子显微镜（TEM） | 第28-29页 |
| 3.3.3 X射线衍射晶相分析（XRD） | 第29-30页 |
| 3.3.4 X射线光电子谱分析（XPS） | 第30-31页 |
| 3.3.5 紫外-可见光分光光度计 | 第31-33页 |
| 第四章 TiO_2基的光阳极的合成及光电化学水分解特征分析 | 第33-51页 |
| 4.1 一维TiO_2纳米结构的制备及表征 | 第33-36页 |
| 4.1.1 以TiCl_4为钛源通过水热法法制备TiO_2纳米棒阵列 | 第33-35页 |
| 4.1.2 以钛酸四丁酯为钛源通过水热法法制备TiO_2纳米棒阵列 | 第35-36页 |
| 4.2 连续离子层吸附反应修饰PbS和CdS量子点 | 第36-42页 |
| 4.3 光阳极样品的光响应特征 | 第42-43页 |
| 4.4 光阳极光电化学特征 | 第43-47页 |
| 4.5 光阳极器件所展现的性能的机制分析 | 第47-51页 |
| 第五章 结论与未来展望 | 第51-53页 |
| 5.1 结论 | 第51页 |
| 5.2 未来展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-60页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
