| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第1章 前言 | 第12-14页 |
| 第2章 文献综述 | 第14-44页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·直拉硅单晶中的氧和氧沉淀 | 第15-23页 |
| ·直拉硅中的氧 | 第15-18页 |
| ·氧的引入 | 第15-16页 |
| ·氧在硅单晶的性质 | 第16-18页 |
| ·直拉硅中的氧沉淀 | 第18-23页 |
| ·氧沉淀的基本性质 | 第19页 |
| ·氧沉淀的形核和长大 | 第19-21页 |
| ·氧沉淀的影响因素 | 第21-23页 |
| ·高温快速热处理(RTP) | 第23-31页 |
| ·RTP引入空位 | 第24-25页 |
| ·RTP对空位浓度的影响 | 第25-27页 |
| ·RTP对氧沉淀浓度的影响 | 第27-29页 |
| ·RTP对洁净区的影响 | 第29-31页 |
| ·硅单晶中的氮杂质 | 第31-39页 |
| ·硅中氮的基本性质 | 第31-32页 |
| ·硅中氮的测量 | 第32-33页 |
| ·硅中氮的掺杂 | 第33-34页 |
| ·氮杂质对硅单晶性质的影响 | 第34-39页 |
| ·氮对硅片机械性能的提高 | 第34-35页 |
| ·氮对硅片中void缺陷的影响 | 第35-37页 |
| ·氮对硅片氧沉淀的影响 | 第37-39页 |
| ·重掺杂硅单晶对氧沉淀的影响 | 第39-44页 |
| ·重掺硼对氧沉淀的影响 | 第39-40页 |
| ·重掺锑对氧沉淀的影响 | 第40-41页 |
| ·重掺磷对氧沉淀的影响 | 第41页 |
| ·重掺砷对氧沉淀的影响 | 第41-44页 |
| 第3章 实验样品和实验设备 | 第44-50页 |
| ·实验样品及样品制备 | 第44-45页 |
| ·实验样品 | 第44页 |
| ·样品制备 | 第44-45页 |
| ·热处理设备 | 第45-46页 |
| ·普通扩散炉退火(CFA) | 第45页 |
| ·快速热处理退火(RTP) | 第45-46页 |
| ·主要测试方法和测试设备 | 第46-50页 |
| ·硅片中间隙氧浓度的测试方法 | 第46页 |
| ·硅片中N浓度测试方法 | 第46-47页 |
| ·择择优腐蚀和光学显微镜 | 第47页 |
| ·扫描红外显微镜(SIRM) | 第47-49页 |
| ·X射线光电子能谱分析(XPS) | 第49-50页 |
| 第4章 高温快速热处理对重掺砷直拉硅单晶中氧沉淀的影响 | 第50-62页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·实验 | 第51页 |
| ·实验结果与分析 | 第51-59页 |
| ·单步热退火对重掺砷氧沉淀的影响 | 第51-53页 |
| ·低-高两步热处理对重掺砷直拉硅单晶中氧沉淀行为的影响 | 第53-56页 |
| ·不同温度高温RTP预处理对重掺砷直拉硅单晶中氧沉淀行为的影响 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-62页 |
| 第5章 氮杂质对重掺砷直拉硅单晶中氧沉淀的影响 | 第62-70页 |
| ·引言 | 第62-63页 |
| ·实验 | 第63-64页 |
| ·实验样品 | 第63页 |
| ·实验过程 | 第63-64页 |
| ·实验结果与分析 | 第64-68页 |
| ·高温RTP预处理对原生氧沉淀的消融作用 | 第64-65页 |
| ·掺氮对重掺砷硅片在低-高热处理过程中氧沉淀的影响 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第6章 高温快速热处理过程中N的内扩散 | 第70-84页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·实验 | 第71-72页 |
| ·实验样品 | 第71页 |
| ·实验过程 | 第71-72页 |
| ·实验结果与分析 | 第72-81页 |
| ·高温RTP条件对硅单晶中N扩散的影响 | 第72-78页 |
| ·高温RTP过程中注入的N杂质对硅片中氧沉淀的影响 | 第78-81页 |
| ·本章小结 | 第81-84页 |
| 第7章 高温RTP处理对直拉硅片机械性能的影响 | 第84-92页 |
| ·引言 | 第84页 |
| ·实验 | 第84-87页 |
| ·实验样品 | 第84-85页 |
| ·实验过程 | 第85-87页 |
| ·实验结果与分析 | 第87-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 第8章 全文小结 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-104页 |
| 致谢 | 第104-106页 |
| 个人简历 | 第106-108页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第108页 |
