| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| ·国内外研究现状和发展趋势 | 第17-20页 |
| ·抗辐射集成电路技术的发展趋势 | 第20-21页 |
| ·主要工作和内容安排 | 第21-23页 |
| 第二章 空间辐射环境及三种辐射效应机理研究 | 第23-41页 |
| ·辐射环境 | 第23-27页 |
| ·空间辐射环境 | 第23-24页 |
| ·核爆辐射环境 | 第24-27页 |
| ·总剂量效应 | 第27-31页 |
| ·总剂量效应产生机理 | 第27-30页 |
| ·总剂量辐射效应引起MOS器件参数的变化 | 第30-31页 |
| ·单粒子效应 | 第31-33页 |
| ·电荷淀积模式 | 第31-32页 |
| ·电荷收集模式 | 第32-33页 |
| ·瞬时辐射效应 | 第33-34页 |
| ·瞬时辐射效应介绍 | 第33-34页 |
| ·瞬时辐射效应引起的翻转和单粒子翻转效应的区别 | 第34页 |
| ·6T SRAM的翻转机理 | 第34-39页 |
| ·翻转机理和等效电路 | 第34-38页 |
| ·临界电荷 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第三章 SOI FinFET的TID效应和SEU效应的仿真分析 | 第41-53页 |
| ·Silvaco TCAD工具简介 | 第41页 |
| ·器件结构模型的建立 | 第41-44页 |
| ·总剂量效应对SOI FinFET器件阈值电压漂移的仿真分析 | 第44-46页 |
| ·SOI FinFET单粒子翻转效应仿真分析 | 第46-50页 |
| ·理论模型 | 第46-47页 |
| ·单粒子翻转效应的TCAD仿真 | 第47-48页 |
| ·数值拟合 | 第48-50页 |
| ·SRAM单元的电路模拟 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 基于Geant4的瞬时辐射效应仿真分析 | 第53-69页 |
| ·Geant4简介和内核结构 | 第53-58页 |
| ·Geant4软件开发技术和特点 | 第53-54页 |
| ·Geant4的内核结构和功能 | 第54-55页 |
| ·利用Geant4模拟瞬时辐射效应的程序开发 | 第55-58页 |
| ·能量与电荷的换算 | 第58页 |
| ·电路分析模型的建立 | 第58-60页 |
| ·不同位置入射SOI FinFET的模拟结果与分析 | 第60-63页 |
| ·质子（30MeV）入射 | 第60-61页 |
| ·负电子（50keV）入射 | 第61-62页 |
| ·X射线（10keV）入射 | 第62-63页 |
| ·SOI FinFET和体硅FinFET瞬时辐射效应的对比和分析 | 第63-67页 |
| ·质子（30MeV）入射对比 | 第63-64页 |
| ·负电子（50keV）入射对比 | 第64-66页 |
| ·X射线（10keV）入射对比 | 第66-67页 |
| ·对假设模型的解释说明 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| ·工作总结 | 第69页 |
| ·论文存在的不足及课题展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 作者简介 | 第77-78页 |
