低LIGBT衬底漏电流新结构研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·LIGBT发展 | 第9-13页 |
| ·发展历史 | 第9-11页 |
| ·IGBT的基本结构和工作原理 | 第11-12页 |
| ·横向LIGBT的优缺点 | 第12-13页 |
| ·SOI技术简介 | 第13-14页 |
| ·SOI的发明及制备 | 第13页 |
| ·SOI的优劣 | 第13-14页 |
| ·结隔离技术简介 | 第14-17页 |
| ·结隔离的发明及制备 | 第15-16页 |
| ·结隔离的优劣 | 第16-17页 |
| ·本文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 IGBT相关原理分析 | 第18-31页 |
| ·基础技术原理 | 第18-27页 |
| ·NPN三极管 | 第18-22页 |
| ·大注入效应 | 第22-23页 |
| ·阻断电压 | 第23-25页 |
| ·关断特性 | 第25-27页 |
| ·LIGBT自有特性分析 | 第27-29页 |
| ·普通LIGBT衬底漏电流 | 第27-28页 |
| ·普通SOI LIGBT自热影响 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 双层部分SOI LIGBT器件设计和仿真 | 第31-45页 |
| ·双层部分SOI LIGBT器件设计 | 第31-34页 |
| ·双层部分SOI LIGBT器件仿真 | 第34-44页 |
| ·衬底漏电流分析 | 第34-36页 |
| ·击穿电压分析 | 第36-38页 |
| ·闩锁特性研究 | 第38-40页 |
| ·开关特性研究 | 第40-41页 |
| ·自热效应研究 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 双通道部分SOI LIGBT设计与仿真 | 第45-58页 |
| ·双通道部分SOI LIGBT器件设计 | 第45-46页 |
| ·双通道部分SOI LIGBT器件仿真 | 第46-57页 |
| ·击穿电压分析 | 第46-49页 |
| ·电流特性仿真 | 第49-53页 |
| ·关断特性仿真研究 | 第53-54页 |
| ·热阻特性研究 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| ·总结 | 第58页 |
| ·展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第62-63页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第63-64页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
