摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
1 绪论 | 第10-18页 |
·PECVD技术研究现状及发展 | 第10-12页 |
·国内外薄膜损伤特性研究现状 | 第12-13页 |
·国内薄膜损伤特性研究现状 | 第12-13页 |
·国外薄膜损伤特性研究现状 | 第13页 |
·课题研究的目的和意义 | 第13-14页 |
·主要研究工作 | 第14-18页 |
·课题研究的内容 | 第14页 |
·研究技术路线 | 第14-16页 |
·研究方案 | 第16页 |
·所需的技术条件及试验条件 | 第16-17页 |
·预期达到的目标 | 第17-18页 |
2 光学薄膜特性理论基础 | 第18-23页 |
·薄膜的特性计算 | 第18-20页 |
·陷波滤光片的特性计算 | 第20-23页 |
3 PECVD技术制备单层光学薄膜损伤特性研究 | 第23-56页 |
·单层SiO_xF_y薄膜损伤特性研究 | 第23-29页 |
·单层SiO_xF_y薄膜制备与测试 | 第23-24页 |
·单层SiO_xF_y薄膜损伤测试结果与分析 | 第24-28页 |
·单层SiO_xF_y薄膜电场强度分析 | 第28-29页 |
·单层SiO_2薄膜损伤特性研究 | 第29-35页 |
·单层SiO_2薄膜制备与测试 | 第29-30页 |
·单层SiO_2薄膜损伤测试结果分析 | 第30-32页 |
·单层SiO_2薄膜损伤形貌图 | 第32-33页 |
·单层SiO_2薄膜电场分布分析 | 第33-35页 |
·单层SiO_xN_y薄膜损伤特性研究 | 第35-39页 |
·单层SiO_xN_y薄膜制备与测试 | 第35-36页 |
·单层SiO_xN_y薄膜损伤测试结果分析 | 第36页 |
·单层SiO_xN_y薄膜损伤形貌图 | 第36-38页 |
·单层SiO_xN_y薄膜电场分布分析 | 第38-39页 |
·单层SiN_x薄膜损伤特性研究 | 第39-44页 |
·单层SiN_x薄膜制备与测试 | 第39-40页 |
·单层SiN_x薄膜损伤测试结果分析 | 第40-41页 |
·单层SiN_x薄膜损伤形貌图 | 第41-43页 |
·单层SiN_x薄膜电场分布分析 | 第43-44页 |
·单层(SiO_xF_y、SiO_2、SiO_xN_y、SiN_x)薄膜抗激光损伤特性比较 | 第44-45页 |
·光学薄膜抗激光损伤特性与制备工艺参数关系研究实验 | 第45-54页 |
·低折射率SiO_xF_y光学薄膜正交试验与数据分析 | 第46-48页 |
·中间折射率SiO_xN_y光学薄膜正交试验与数据分析 | 第48-51页 |
·高折射率SiN_x光学薄膜正交试验与数据分析 | 第51-54页 |
·小结 | 第54-56页 |
4 1064nm陷波滤光片膜系设计 | 第56-71页 |
·设计技术指标 | 第56页 |
·薄膜材料选取 | 第56-57页 |
·主要参数估算 | 第57-58页 |
·反射带反射率 | 第57页 |
·反射带波长宽度估算 | 第57-58页 |
·膜系设计 | 第58-71页 |
·规整膜系设计滤光片 | 第58-62页 |
·Rugate法设计滤光片 | 第62-64页 |
·傅里叶变换法设计滤光片 | 第64-68页 |
·混合渐变膜系设计滤光片 | 第68-71页 |
5 1064nm陷波滤光片的制备及测试分析 | 第71-88页 |
·镀制前期工作 | 第71-75页 |
·SiO_2薄膜材料沉积速率和重复性实验研究 | 第71-72页 |
·SiO_xN_y薄膜材料沉积速率和重复性实验研究 | 第72-74页 |
·SiN_x薄膜材料沉积速率和重复性实验研究 | 第74-75页 |
·渐变折射率SiO_xN_y薄膜材料实验研究 | 第75页 |
·镀制工艺流程 | 第75-76页 |
·规整膜系的镀制 | 第76-79页 |
·工艺参数设置 | 第76-77页 |
·薄膜测试结果与分析 | 第77-79页 |
·混合渐变膜系的镀制 | 第79-82页 |
·工艺参数设置 | 第79-81页 |
·薄膜测试结果 | 第81-82页 |
·1064nm陷波滤光片抗激光损伤阈值测试结果与电场分析 | 第82-83页 |
·1064nm陷波滤光片环境试验 | 第83-87页 |
·小结 | 第87-88页 |
6 结论 | 第88-90页 |
·结论 | 第88-89页 |
·展望 | 第89-90页 |
参考文献 | 第90-94页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第94-95页 |
致谢 | 第95-97页 |