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PECVD技术制备光学薄膜损伤特性研究

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
1 绪论第10-18页
   ·PECVD技术研究现状及发展第10-12页
   ·国内外薄膜损伤特性研究现状第12-13页
     ·国内薄膜损伤特性研究现状第12-13页
     ·国外薄膜损伤特性研究现状第13页
   ·课题研究的目的和意义第13-14页
   ·主要研究工作第14-18页
     ·课题研究的内容第14页
     ·研究技术路线第14-16页
     ·研究方案第16页
     ·所需的技术条件及试验条件第16-17页
     ·预期达到的目标第17-18页
2 光学薄膜特性理论基础第18-23页
   ·薄膜的特性计算第18-20页
   ·陷波滤光片的特性计算第20-23页
3 PECVD技术制备单层光学薄膜损伤特性研究第23-56页
   ·单层SiO_xF_y薄膜损伤特性研究第23-29页
     ·单层SiO_xF_y薄膜制备与测试第23-24页
     ·单层SiO_xF_y薄膜损伤测试结果与分析第24-28页
     ·单层SiO_xF_y薄膜电场强度分析第28-29页
   ·单层SiO_2薄膜损伤特性研究第29-35页
     ·单层SiO_2薄膜制备与测试第29-30页
     ·单层SiO_2薄膜损伤测试结果分析第30-32页
     ·单层SiO_2薄膜损伤形貌图第32-33页
     ·单层SiO_2薄膜电场分布分析第33-35页
   ·单层SiO_xN_y薄膜损伤特性研究第35-39页
     ·单层SiO_xN_y薄膜制备与测试第35-36页
     ·单层SiO_xN_y薄膜损伤测试结果分析第36页
     ·单层SiO_xN_y薄膜损伤形貌图第36-38页
     ·单层SiO_xN_y薄膜电场分布分析第38-39页
   ·单层SiN_x薄膜损伤特性研究第39-44页
     ·单层SiN_x薄膜制备与测试第39-40页
     ·单层SiN_x薄膜损伤测试结果分析第40-41页
     ·单层SiN_x薄膜损伤形貌图第41-43页
     ·单层SiN_x薄膜电场分布分析第43-44页
   ·单层(SiO_xF_y、SiO_2、SiO_xN_y、SiN_x)薄膜抗激光损伤特性比较第44-45页
   ·光学薄膜抗激光损伤特性与制备工艺参数关系研究实验第45-54页
     ·低折射率SiO_xF_y光学薄膜正交试验与数据分析第46-48页
     ·中间折射率SiO_xN_y光学薄膜正交试验与数据分析第48-51页
     ·高折射率SiN_x光学薄膜正交试验与数据分析第51-54页
   ·小结第54-56页
4 1064nm陷波滤光片膜系设计第56-71页
   ·设计技术指标第56页
   ·薄膜材料选取第56-57页
   ·主要参数估算第57-58页
     ·反射带反射率第57页
     ·反射带波长宽度估算第57-58页
   ·膜系设计第58-71页
     ·规整膜系设计滤光片第58-62页
     ·Rugate法设计滤光片第62-64页
     ·傅里叶变换法设计滤光片第64-68页
     ·混合渐变膜系设计滤光片第68-71页
5 1064nm陷波滤光片的制备及测试分析第71-88页
   ·镀制前期工作第71-75页
     ·SiO_2薄膜材料沉积速率和重复性实验研究第71-72页
     ·SiO_xN_y薄膜材料沉积速率和重复性实验研究第72-74页
     ·SiN_x薄膜材料沉积速率和重复性实验研究第74-75页
     ·渐变折射率SiO_xN_y薄膜材料实验研究第75页
   ·镀制工艺流程第75-76页
   ·规整膜系的镀制第76-79页
     ·工艺参数设置第76-77页
     ·薄膜测试结果与分析第77-79页
   ·混合渐变膜系的镀制第79-82页
     ·工艺参数设置第79-81页
     ·薄膜测试结果第81-82页
   ·1064nm陷波滤光片抗激光损伤阈值测试结果与电场分析第82-83页
   ·1064nm陷波滤光片环境试验第83-87页
   ·小结第87-88页
6 结论第88-90页
   ·结论第88-89页
   ·展望第89-90页
参考文献第90-94页
攻读硕士学位期间发表的论文第94-95页
致谢第95-97页

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