| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 1．1 金属基底上陶瓷膜层的研究进展 | 第12-14页 |
| 1．1．1 金属基底上陶瓷膜层的研究进展 | 第12-13页 |
| 1．1．2 金属基陶瓷涂层的发展趋势 | 第13-14页 |
| 1．2 CVD技术概述 | 第14-18页 |
| 1．2．1 CVD反应过程 | 第14-15页 |
| 1．2．2 CVD的一般原理 | 第15页 |
| 1．2．3 CVD技术的分类 | 第15-16页 |
| 1．2．4 CVD技术的特点 | 第16-17页 |
| 1．2．5 CVD技术的应用 | 第17-18页 |
| 1．3 CVD技术在制备硅化物陶瓷膜层中的应用 | 第18-22页 |
| 1．3．1 CVD技术在不同基底上沉积含硅化合物膜层的应用 | 第18-21页 |
| 1．3．1．1 非金属材料基底 | 第18-20页 |
| 1．3．1．2 金属材料基底 | 第20-21页 |
| 1．3．2 现存的问题与发展方向 | 第21-22页 |
| 1．4 金属铝和氧化硅陶瓷的性能比较 | 第22-25页 |
| 1．4．1 金属铝和氧化硅陶瓷的性能比较 | 第22-24页 |
| 1．4．2 二氧化硅膜层的性质 | 第24-25页 |
| 1．5 本文的研究思路 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-28页 |
| 第二章 硅氧化物陶瓷膜层的制备 | 第28-38页 |
| 2．1 CVD制备工艺的确定 | 第28-31页 |
| 2．1．1 反应气源与载气的选择 | 第28-29页 |
| 2．1．1．1 源物质及原料区反应的确定 | 第28页 |
| 2．1．1．2 载气的选择 | 第28-29页 |
| 2．1．2 CVD反应器的确定 | 第29-31页 |
| 2．2 硅烷的性质 | 第31-33页 |
| 2．2．1 物理性质 | 第31页 |
| 2．2．2 化学性质 | 第31-32页 |
| 2．2．3 SiH_4的氧化作用 | 第32-33页 |
| 2．3 工艺参数的确定 | 第33-34页 |
| 2．4 制备步骤 | 第34-36页 |
| 2．4．1 实验原料 | 第34-35页 |
| 2．4．2 试样表面预处理 | 第35页 |
| 2．4．3 制备工艺及操作步骤 | 第35-36页 |
| 2．5 本章小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第三章 硅氧化合物陶瓷膜层的成分、形貌和结构分析 | 第38-51页 |
| 3．1 膜层微观形貌观察 | 第38-40页 |
| 3．1．1 实验方法 | 第38页 |
| 3．1．2 结果与讨论 | 第38-40页 |
| 3．2 成分分析 | 第40-41页 |
| 3．2．1 XPS分析 | 第40页 |
| 3．2．2 XPS分析结果与讨论 | 第40-41页 |
| 3．3 结构分析 | 第41-44页 |
| 3．3．1 实验步骤 | 第42页 |
| 3．3．2 实验结果 | 第42-44页 |
| 3．3．3 讨论 | 第44页 |
| 3．4 工艺参数的影响 | 第44-49页 |
| 3．5 本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第四章 硅氧化物陶瓷膜层部分物理参数的测试 | 第51-60页 |
| 4．1 膜层的典型物理参数及其测试 | 第51-53页 |
| 4．1．1 厚度 | 第51页 |
| 4．1．2 硬度 | 第51-52页 |
| 4．1．3 密度 | 第52页 |
| 4．1．4 孔隙率 | 第52-53页 |
| 4．1．5 内应力 | 第53页 |
| 4．2 密度的测量 | 第53-56页 |
| 4．2．1 实验方法 | 第53页 |
| 4．2．2 实验步骤 | 第53-54页 |
| 4．2．3 实验结果与讨论 | 第54-56页 |
| 4．3 孔隙率的测量 | 第56-58页 |
| 4．3．1 实验方法 | 第56页 |
| 4．3．2 实验步骤 | 第56-57页 |
| 4．3．3 实验结果与讨论 | 第57-58页 |
| 4．4 膜层硬度的测量 | 第58页 |
| 4．4．1 实验方法 | 第58页 |
| 4．4．2 实验结果与讨论 | 第58页 |
| 4．5 本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |
| 第五章 硅氧化物陶瓷膜层的摩擦磨损性能 | 第60-75页 |
| 5．1 硅氧化物陶瓷膜层的摩擦学性质 | 第60-67页 |
| 5．1．1 实验方法 | 第60-61页 |
| 5．1．2 实验结果与讨论 | 第61-67页 |
| 5．2 硅氧化物陶瓷膜层的磨损性能 | 第67-73页 |
| 5．2．1 磨损实验装置的设计 | 第67-69页 |
| 5．2．2 磨损实验的设计 | 第69-70页 |
| 5．2．2．1 实验方法及评定标准 | 第69-70页 |
| 5．2．2．2 实验方案的改进设想 | 第70页 |
| 5．2．3 实验方法 | 第70-71页 |
| 5．2．3．1 比较试样的选择与制备 | 第70-71页 |
| 5．2．3．2 实验步骤 | 第71页 |
| 5．2．4 实验结果与讨论 | 第71-73页 |
| 5．3 本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 第六章 绝缘性测试及封闭处理 | 第75-79页 |
| 6．1 基底的导电性与膜层的绝缘性 | 第75-76页 |
| 6．1．1 实验方法 | 第75页 |
| 6．1．2 实验结果与讨论 | 第75-76页 |
| 6．2 封闭实验 | 第76-77页 |
| 6．2．1 实验方法 | 第76页 |
| 6．2．2 实验步骤 | 第76-77页 |
| 6．2．3 实验结果 | 第77页 |
| 6．3 其它可行性实验设想 | 第77-78页 |
| 6．4 本章小结 | 第78页 |
| 参考文献 | 第78-79页 |
| 第七章 硅氧化物陶瓷膜层与基底的结合性能 | 第79-89页 |
| 7．1 膜层与基底结合力的测量概述 | 第79-82页 |
| 7．1．1 粘接拉伸法 | 第79-80页 |
| 7．1．2 弯曲法 | 第80页 |
| 7．1．3 压入法和界面压入法 | 第80-81页 |
| 7．1．4 划痕法 | 第81页 |
| 7．1．5 断裂力学法 | 第81-82页 |
| 7．2 硅氧化物陶瓷膜层与铝合金基底的结合性能（机械法测量） | 第82-86页 |
| 7．2．1 机械拉伸法测量膜层与基底的结合力 | 第82-83页 |
| 7．2．2 划痕法测量膜层与基底的结合力 | 第83页 |
| 7．2．3 弯曲法测量膜层与基底的结合力 | 第83-86页 |
| 7．3 热冲击法测量膜层与基底的结合力 | 第86-87页 |
| 7．4 本章小结 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-89页 |
| 第八章 结论 | 第89-91页 |
| 致谢 | 第91页 |