| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 序言 | 第10-16页 |
| ·研究背景 | 第10-11页 |
| ·等离子体简介 | 第11-12页 |
| ·几种不同晶硅表面制绒方式的概述 | 第12-14页 |
| ·本文主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 容性耦合等离子体实验装置及诊断方法 | 第16-23页 |
| ·容性耦合等离子体实验装置 | 第16-17页 |
| ·容性耦合等离子体诊断技术 | 第17-23页 |
| ·微波共振探针诊断技术 | 第17-19页 |
| ·发射光谱技术 | 第19-23页 |
| 第三章 容性耦合等离子体电学参量的测量 | 第23-36页 |
| ·等离子体极板负偏压的测量 | 第24-26页 |
| ·氟基等离子体电子密度的测量 | 第26-29页 |
| ·等离子体发射光谱的测量 | 第29-36页 |
| ·不同射频输入功率对发射光谱的影响 | 第30-32页 |
| ·放电气压对发射光谱强度的影响 | 第32-33页 |
| ·不同气体流量比对发射光谱强度的影响 | 第33-36页 |
| 第四章 不同射频驱动频率产生等离子体对单晶硅绒面及反射率的影响 | 第36-59页 |
| ·激发频率为 13.56MHz 的容性耦合等离子体干法制绒实验 | 第37-41页 |
| ·激发频率为 27.12MHz 容性耦合等离子体干法制绒实验 | 第41-47页 |
| ·激发频率为 40.68MHz 容性耦合等离子体干法制绒实验 | 第47-54页 |
| ·容性耦合等离子体制绒小结 | 第54-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士学位期间公开发表的论文及科研成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
