摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第1章 绪论 | 第11-21页 |
·合金沉淀相变的研究背景及意义 | 第11页 |
·合金沉淀相变的研究方法 | 第11-15页 |
·镍基合金概述 | 第15页 |
·合金沉淀过程研究进展 | 第15-18页 |
·Ni3Al 中合金元素择优占位的研究现状 | 第18-19页 |
·本文主要研究内容和框架体系 | 第19-21页 |
第2章 微观相场动力学模型 | 第21-32页 |
·引言 | 第21页 |
·模型的基本假设 | 第21-22页 |
·模型的特点及优点 | 第22页 |
·二元体系动力学模型 | 第22-23页 |
·二元体系微观相场扩散方程 | 第22-23页 |
·微观 Langevin 方程 | 第23页 |
·三元体系动力学模型 | 第23-30页 |
·三元体系微观扩散方程 | 第24-25页 |
·傅里叶空间中的微观 Langevin 方程 | 第25页 |
·平均场自由能 | 第25-26页 |
·四近邻原子间相互作用近似 | 第26页 |
·微观弹性相互作用 | 第26-27页 |
·含弹性能的微观 Langevin 方程 | 第27-28页 |
·应用于面心立方晶格 fcc | 第28-29页 |
·最终的动力学方程 | 第29-30页 |
·随机噪声项 | 第30页 |
·本文研究对象 | 第30-31页 |
·计算环境 | 第31-32页 |
第3章 温度对 Ni_(75)Al_(14)Mo_(11)合金沉淀过程及原子占位的影响 | 第32-67页 |
·沉淀相的有序结构 | 第32-36页 |
·Ll_2相结构 | 第32-33页 |
·DO_(22)相结构 | 第33-34页 |
·L_(10)相结构 | 第34-36页 |
·不同温度下合金沉淀过程及原子占位的研究 | 第36-56页 |
·温度为 873K 时合金沉淀过程及原子占位的研究 | 第36-44页 |
·温度为 973K 时合金沉淀过程及原子占位的研究 | 第44-50页 |
·温度为 1073K 时合金沉淀过程及原子占位的研究 | 第50-56页 |
·温度对原子占位形貌演化的影响 | 第56-59页 |
·温度对原子占位几率的影响 | 第59-63页 |
·温度对沉淀孕育期及有序化的影响 | 第63-64页 |
·温度对合金中反位原子占位影响的理论判据 | 第64-65页 |
·温度对合金原子占位驱动力影响的理论判据 | 第65-66页 |
·本章小结 | 第66-67页 |
第4章 温度和弹性畸变能耦合对 Ni_(75)Al_(14)Mo_(11)合金沉淀过程及原子占位的影响 | 第67-96页 |
·不同弹性畸变能下 Ni_(75)Al_(14)Mo_(11)合金沉淀过程及原子占位的研究 | 第67-83页 |
·T=973K,B=300 时 Ni_(75)Al_(14)Mo_(11)合金沉淀过程及原子占位的研究 | 第67-72页 |
·T=973K,B=500 时 Ni_(75)Al_(14)Mo_(11)合金沉淀过程及原子占位的研究 | 第72-77页 |
·T=973K,B=800 时 Ni_(75)Al_(14)Mo_(11)合金沉淀过程及原子占位的研究 | 第77-83页 |
·弹性畸变能对原子占位形貌演化的影响 | 第83-87页 |
·弹性畸变能对原子占位几率的影响 | 第87-90页 |
·弹性畸变能对沉淀孕育期及有序化的影响 | 第90-92页 |
·金属间化合物 Ni3Al 和 Ni3Mo 的生成焓和结合能 | 第92-94页 |
·金属间化合物 Ni_3Al 和 Ni_3Mo 的生成焓 | 第92-93页 |
·金属间化合物 Ni_3Al 和 Ni_3Mo 的结合能 | 第93页 |
·未生成有序相 Ni_3Mo 的原因分析 | 第93-94页 |
·本章小结 | 第94-96页 |
第5章 Ni_(75)Al_(14)Mo_(11)合金沉淀过程中界面的演化规律 | 第96-105页 |
·有序相结构及其投影示意图 | 第96-97页 |
·有序相之间的界面类型 | 第97-99页 |
·有序相之间的界面演化过程 | 第97-98页 |
·有序相之间的界面结构类型 | 第98-99页 |
·界面的迁移 | 第99-102页 |
·界面 A 处原子的跃迁 | 第99-100页 |
·界面 B 处原子的跃迁 | 第100-101页 |
·界面 C 处原子的跃迁 | 第101-102页 |
·界面处的局部序参数分析 | 第102-104页 |
·本章小结 | 第104-105页 |
结论 | 第105-107页 |
参考文献 | 第107-113页 |
攻读硕士期间发表的论文及所取得的研究成果 | 第113-114页 |
致谢 | 第114-115页 |