二氧化硅平面光波导分路器的设计与制作
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
目录 | 第7-9页 |
第1章 绪论 | 第9-16页 |
·课题背景 | 第9-10页 |
·研究现状 | 第10-15页 |
·分路器的分类 | 第10-12页 |
·分路器的性能指标 | 第12-14页 |
·分路器的制作技术 | 第14-15页 |
·论文工作内容及章节安排 | 第15-16页 |
第2章 分路器的工作原理与模拟设计 | 第16-28页 |
·光波导理论 | 第16-21页 |
·平板波导 | 第16-19页 |
·光束传播法 | 第19-21页 |
·Y 分支分路器的模拟设计 | 第21-26页 |
·Y 分支分路器的损耗分析 | 第21-22页 |
·模拟设计 | 第22-26页 |
·小结 | 第26-28页 |
第3章 Y 分支分路器的关键工艺研究 | 第28-56页 |
·SiO2薄膜制备简介 | 第28-29页 |
·等离子体增强化学气相沉积 | 第29-32页 |
·等离子体的基本性质 | 第29-30页 |
·设备原理简介 | 第30-32页 |
·二氧化硅薄膜生长实验 | 第32-40页 |
·下包层二氧化硅薄膜生长实验 | 第32-36页 |
·Ge 掺杂 SiO2芯层生长实验 | 第36-37页 |
·上包层生长与退火实验 | 第37-40页 |
·二氧化硅波导结构的制作 | 第40-46页 |
·光刻工艺优化实验 | 第40-43页 |
·ICP 刻蚀工艺研究实验 | 第43-46页 |
·薄膜退火应力优化实验 | 第46-50页 |
·薄膜应力简介 | 第46-48页 |
·石英玻璃退火工艺优化实验 | 第48-50页 |
·退火对 Ge 掺杂 SiO2薄膜质量的改善 | 第50-54页 |
·小结 | 第54-56页 |
第4章 分路器的制作与测试系统的搭建 | 第56-64页 |
·分路器制备工艺流程 | 第56-61页 |
·分路器测试系统的搭建 | 第61-62页 |
·小结 | 第62-64页 |
总结 | 第64-67页 |
参考文献 | 第67-71页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第71-73页 |
致谢 | 第73页 |