| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 致谢 | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·聚合物表面超疏水改性技术发展 | 第14-18页 |
| ·有机电子器件薄膜封装技术发展 | 第18-20页 |
| ·课题研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 聚合物表面等离子体改性技术理论研究 | 第21-30页 |
| ·超疏水理论研究 | 第21-25页 |
| ·表面自由能 | 第21页 |
| ·表面形貌 | 第21-25页 |
| ·等离子体表面改性技术 | 第25-29页 |
| ·等离子体的定义以及分类 | 第25页 |
| ·低温等离子体的形成机理-气体放电 | 第25-27页 |
| ·等离子体与固体表面的相互作用 | 第27-28页 |
| ·等离子体对聚合物材料的表面改性 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 聚碳酸酯(PC)基片表面超疏水改性技术研究 | 第30-49页 |
| ·等离子体刻蚀技术 | 第30-32页 |
| ·等离子体刻蚀的工艺过程 | 第30页 |
| ·O_2等离子体刻蚀机理 | 第30-31页 |
| ·O_2等离子体刻蚀参数对PC基片表面形貌的影响 | 第31-32页 |
| ·实验部分 | 第32-40页 |
| ·主要材料 | 第32-33页 |
| ·实验设备及原理 | 第33-39页 |
| ·实验步骤及测试与表征 | 第39-40页 |
| ·实验步骤 | 第39-40页 |
| ·测试与表征 | 第40页 |
| ·实验结果及分析 | 第40-48页 |
| ·PC基片超疏水表面的检测分析 | 第40-47页 |
| ·不同处理工艺对PC基片表面形貌的影响 | 第40-42页 |
| ·不同处理工艺对PC基片表面化学组成的影响 | 第42-46页 |
| ·PC基片超疏水表面接触角分析 | 第46页 |
| ·PC基片的透光率测试 | 第46-47页 |
| ·PC基片超疏水表面失效分析 | 第47-48页 |
| ·稳定超疏水表面 | 第48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 基于聚碳酸酯(PC)基片封装薄膜的制备 | 第49-58页 |
| ·封装薄膜的水氧渗透机理 | 第49-51页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术 | 第51-53页 |
| ·实验部分 | 第53-55页 |
| ·主要材料 | 第53-54页 |
| ·实验设备及原理 | 第54-55页 |
| ·实验步骤及测试与表征 | 第55页 |
| ·实验结果及分析 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| ·全文总结 | 第58页 |
| ·不足与期望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第65页 |
| 攻读学位期间参与的研究项目 | 第65页 |