| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 致谢 | 第8-11页 |
| 插图清单 | 第11-13页 |
| 表格清单 | 第13-14页 |
| 第一章 绪言 | 第14-27页 |
| ·一维半导体纳米材料简介 | 第14-16页 |
| ·纳米材料的发展历程与概念 | 第14-15页 |
| ·一维纳米材料简介 | 第15-16页 |
| ·一维半导体纳米材料的合成方法 | 第16-19页 |
| ·气相法 | 第16-18页 |
| ·液相法 | 第18页 |
| ·模板法 | 第18-19页 |
| ·II—VI 族一维纳米材料的合成及应用 | 第19-23页 |
| ·纳米光电探测器 | 第20-21页 |
| ·纳米太阳能电池 | 第21-22页 |
| ·纳米传感器 | 第22页 |
| ·纳米存储器 | 第22-23页 |
| ·基于 II—VI 族一维纳米材料的异质结 | 第23-25页 |
| ·本课题的研究目的与主要内容 | 第25-27页 |
| 第二章 实验所用药品与设备 | 第27-33页 |
| ·实验所用药品 | 第27页 |
| ·实验所用设备 | 第27-33页 |
| ·纳米材料合成与测试设备 | 第27-29页 |
| ·纳米材料表征设备 | 第29-33页 |
| 第三章 p 型 ZnSe:Ag 纳米线的可控掺杂 | 第33-44页 |
| ·p 型 ZnSe:Ag 纳米线的合成和表征 | 第33-35页 |
| ·p 型 ZnSe:Ag 纳米线的合成 | 第33-34页 |
| ·p 型 ZnSe:Ag 纳米线的表征 | 第34-35页 |
| ·p 型 ZnSe:Ag 纳米线的电学性能表征 | 第35-43页 |
| ·底栅场效应晶体管 | 第35-39页 |
| ·肖特基器件 | 第39-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 基于 p 型 ZnSe 纳米线 /n 型 Si 的异质结器件及其应用 | 第44-63页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·刮蹭分散法制备 | 第44-53页 |
| ·制备方法 | 第44-47页 |
| ·Au 为电极 | 第47-49页 |
| ·Graphene 为电极 | 第49-52页 |
| ·干扰因素的排除 | 第52-53页 |
| ·直接生长法 | 第53-56页 |
| ·制备过程 | 第53-54页 |
| ·异质结性能测试 | 第54-56页 |
| ·一维 ZnSe/Si Core/Shell 纳米线异质结的制备 | 第56-61页 |
| ·ZnSe/Si Core/Shell 纳米线的制备方法 | 第56-57页 |
| ·ZnSe/Si Core/Shel 纳米线的表征 | 第57-58页 |
| ·基于 ZnSe/Si Core/Shel 纳米线异质结的性能测试 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士期间的主要成绩 | 第70-72页 |
