摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
致谢 | 第7-10页 |
插图清单 | 第10-12页 |
表格清单 | 第12-13页 |
第一章 绪论 | 第13-27页 |
·纳米科技简介 | 第13-16页 |
·半导体纳米材料的合成方法 | 第16-18页 |
·半导体纳米材料的表征方法 | 第18-22页 |
·X 射线衍射分析 | 第18页 |
·电子能谱分析 | 第18-19页 |
·透射电子显微镜 | 第19-20页 |
·扫描电子显微镜 | 第20-21页 |
·原于力显微镜 | 第21-22页 |
·光谱分析 | 第22页 |
·半导体纳米材料的应用 | 第22-25页 |
·纳米场效应器件 | 第23页 |
·纳米光电探测器 | 第23-24页 |
·纳米太阳能电池 | 第24-25页 |
·课题研究背景 | 第25-27页 |
·氧化锌(ZnO)纳米材料及其应用 | 第25-26页 |
·硒化锌(ZnSe)纳米材料及其应用 | 第26-27页 |
第二章 n 型 ZnO 纳米结构和单层石墨烯的合成与表征以及器件制备工艺 | 第27-39页 |
·合成所需要的药品和仪器设备 | 第27-31页 |
·合成所需的药品 | 第27-28页 |
·合成所需要的仪器设备 | 第28-31页 |
·n 型 ZnO 纳米结构和单层石墨烯的合成 | 第31-33页 |
·n 型 ZnO:Ga 纳米线合成 | 第31-32页 |
·n 型 ZnO:Ga 纳米棒阵列合成 | 第32页 |
·n 型 ZnO:Ga 薄膜的合成 | 第32页 |
·单层石墨烯的合成 | 第32-33页 |
·n 型 ZnO 纳米结构和单层石墨烯表征 | 第33-35页 |
·n 型 ZnO 纳米线的结构表征 | 第33页 |
·n 型 ZnO 纳米棒阵列的结构表征 | 第33-34页 |
·n 型 ZnO 纳米薄膜的结构表征 | 第34-35页 |
·单层石墨烯的结构表征 | 第35页 |
·纳米器件的制备工艺 | 第35-37页 |
·纳米材料的分散 | 第36页 |
·电极图案的制备 | 第36-37页 |
·金属电极制备 | 第37页 |
·本章小结 | 第37-39页 |
第三章 n 型 ZnO 纳米棒阵列/单层石墨烯肖特基结紫外光电探测器制备及其性能探究 | 第39-49页 |
·紫外传感器的简介 | 第39页 |
·n 型 ZnO 纳米棒阵列/单层石墨烯肖特基结器件制备 | 第39-40页 |
·n 型 ZnO 纳米棒阵列/单层石墨烯肖特基结紫外光电探测器表征 | 第40-48页 |
·光电学特性分析 | 第40-42页 |
·光学结构模拟分析 | 第42-43页 |
·低温分析 | 第43-45页 |
·肖特基结能带理论分析 | 第45-46页 |
·光谱分析及白光探测特性研究 | 第46-48页 |
·本章小结 | 第48-49页 |
第四章 p 型 ZnSe:Sb 纳米线的合成及其单根纳米线场效应晶体管特性研究 | 第49-55页 |
·p 型 ZnSe:Sb 纳米线的合成 | 第49页 |
·p 型 ZnSe:Sb 纳米线的表征 | 第49-51页 |
·单根 P 型 ZnSe:Sb 纳米线的场效应器件制备及表征 | 第51页 |
·p 型 ZnSe:Sb 纳米场效应器件性能的研究 | 第51-54页 |
·掺杂浓度对电学信号的影响 | 第52页 |
·掺杂浓度对场效应的影响 | 第52-54页 |
·本章小结 | 第54-55页 |
第五章 基于 p 型 ZnSe:Sb 纳米线制备结型光电子器件研究 | 第55-68页 |
·p 型 ZnSe:Sb 纳米线/n 型 ZnO:Ga 纳米线异质结紫外光探测器制备 | 第55页 |
·p 型 ZnSe:Sb 纳米线/n 型 ZnO:Ga 纳米线异质结紫外光探测器表征 | 第55-59页 |
·p 型 ZnSe:Sb 纳米线/n 型 ZnO 薄膜异质 p-n 结太阳能电池制备及表征 | 第59-65页 |
·太阳能电池基本原理及器件表征参数 | 第59-61页 |
·硅衬底的没有钛金属缓冲层太阳能电池制备及表征 | 第61-62页 |
·硅衬底的有钛金属缓冲层太阳能电池制备及表征 | 第62-63页 |
·石英玻璃存底的太阳能电池制备及表征 | 第63-65页 |
·器件结构对异质结太阳能电池参数的影响研究 | 第65-67页 |
·串联电阻 Rs对太阳能电池的影响 | 第65-66页 |
·辐照度对太阳能电池的影响 | 第66-67页 |
·本章小结 | 第67-68页 |
第六章 全文总结 | 第68-70页 |
参考文献 | 第70-79页 |
攻读硕士学位期间发表论文 | 第79-82页 |