| 提要 | 第1-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-24页 |
| ·概述 | 第12-15页 |
| ·图像传感器成像流程 | 第12-13页 |
| ·图像传感器结构 | 第13-15页 |
| ·图像传感器应用领域 | 第15-18页 |
| ·图像传感器发展历史及市场现状 | 第18-21页 |
| ·图像传感器研究存在的问题 | 第21-22页 |
| ·本论文的研究目的与创新点 | 第22-23页 |
| ·本论文的结构 | 第23-24页 |
| 第2章 CMOS 图像传感器基础 | 第24-52页 |
| ·图像传感器主要特性参数 | 第24-34页 |
| ·量子效率与光谱响应 | 第24-27页 |
| ·暗电流 | 第27-31页 |
| ·满阱容量和动态范围 | 第31-33页 |
| ·信噪比 | 第33页 |
| ·分辨率 | 第33-34页 |
| ·帧率 | 第34页 |
| ·常用光电探测器 | 第34-38页 |
| ·光电二极管（PD） | 第35-36页 |
| ·雪崩光电二极管（APD） | 第36页 |
| ·光电晶体管（PT） | 第36-37页 |
| ·穿通基区光电晶体管（PTPT） | 第37-38页 |
| ·图像传感器像素电路积分工作模式 | 第38-47页 |
| ·工作原理分析 | 第38-41页 |
| ·常见像素电路架构 | 第41-47页 |
| ·图像传感器像素电路连续工作模式 | 第47-51页 |
| ·工作原理分析 | 第47-48页 |
| ·常见像素电路架构 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第3章 CMOS 图像传感器新型感光元件及像素设计 | 第52-81页 |
| ·穿通增强光电晶体管（PEPT） | 第52-65页 |
| ·工作原理与理论分析 | 第53-55页 |
| ·暗电流仿真结果 | 第55-57页 |
| ·暗电流测试结果 | 第57-58页 |
| ·光生电流仿真结果 | 第58-61页 |
| ·光生电流测试结果 | 第61-62页 |
| ·响应率与信噪比分析 | 第62-65页 |
| ·基于 PEPT 的 CMOS 图像传感器像素恒流源工作模式 | 第65-69页 |
| ·工作原理与测试结果 | 第65-67页 |
| ·偏置电流的讨论 | 第67-69页 |
| ·基于 PTPT 的 CMOS 图像传感器像素离散工作模式 | 第69-79页 |
| ·穿通晶体管电势分布的分析 | 第70-72页 |
| ·离散工作原理 | 第72-75页 |
| ·研究结果及讨论 | 第75-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 第4章 基于 PEPT 的 CMOS 图像传感器系统级设计 | 第81-92页 |
| ·系统架构 | 第81-84页 |
| ·图像传感器线阵设计 | 第84-85页 |
| ·设计关键问题 | 第85-90页 |
| ·基于 N 型 PEPT 的图像传感器像素 | 第85-88页 |
| ·基于 P 型 PEPT 的图像传感器像素 | 第88-90页 |
| ·本章小结 | 第90-92页 |
| 第5章 应用于 CMOS 图像传感器低压差线性稳压器设计 | 第92-108页 |
| ·无片外电容 LDO 概述 | 第92-100页 |
| ·基本工作原理 | 第93-94页 |
| ·LDO 主要特性参数 | 第94-97页 |
| ·电源抑制比分析 | 第97-100页 |
| ·高电源抑制比无片外电容 LDO 设计 | 第100-107页 |
| ·设计思想 | 第100-101页 |
| ·交流小信号分析 | 第101-103页 |
| ·整体电路与测试结果 | 第103-107页 |
| ·本章小结 | 第107-108页 |
| 第6章 结论 | 第108-112页 |
| ·结论 | 第108-110页 |
| ·后续工作及研究方向 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-118页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 摘要 | 第121-124页 |
| Abstract | 第124-127页 |
