| 中文摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| ·物理和化学中的量子力学计算 | 第9-10页 |
| ·密度泛函理论和第一性原理计算 | 第10-13页 |
| ·InN 材料和三族氮化物合金材料的研究现状 | 第13-16页 |
| ·CASTEP 软件简介 | 第16-17页 |
| ·论文内容安排 | 第17-18页 |
| 2 研究方法与理论基础 | 第18-23页 |
| ·Hohenberg—Kohn 定理 | 第18-19页 |
| ·Kohn—Sham 方程 | 第19-20页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第20-21页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第21-23页 |
| 3 富 In 的 InGaN 材料的第一性原理研究 | 第23-35页 |
| ·计算模型的建立 | 第23-25页 |
| ·计算方法 | 第25页 |
| ·晶体替代与间隙缺陷的形成能 | 第25-27页 |
| ·In1-xGaxN 的晶格常数 | 第27-29页 |
| ·超晶胞体系能带结构和禁带的分析 | 第29-33页 |
| ·电子态密度的分析 | 第33-35页 |
| 4 总结与展望 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-43页 |
| 读硕士学位期间作者科研情况 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44页 |