| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·HfO_2的结构与性能 | 第10-12页 |
| ·HfO_2的基本性质 | 第10页 |
| ·HfO_2的晶体结构 | 第10-11页 |
| ·HfO_2的光学性能 | 第11-12页 |
| ·HfO_2的电学性能 | 第12页 |
| ·HfO_2薄膜的制备方法 | 第12-19页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第12-14页 |
| ·原子层沉积法(ALD) | 第14-15页 |
| ·电子束蒸发法(EBE) | 第15-16页 |
| ·离子束辅助沉积(IBAD) | 第16-18页 |
| ·磁控溅射 | 第18-19页 |
| ·本论文的指导思想与研究内容 | 第19页 |
| 参考文献 | 第19-22页 |
| 第二章 薄膜的制备及表征方法 | 第22-38页 |
| ·溅射概述 | 第22-23页 |
| ·溅射的基本原理 | 第23-26页 |
| ·直流辉光放电 | 第23-25页 |
| ·辉光区的划分及溅射的形成 | 第25-26页 |
| ·溅射镀膜类型 | 第26-28页 |
| ·直流溅射 | 第26-27页 |
| ·射频溅射 | 第27页 |
| ·磁控溅射 | 第27-28页 |
| ·反应溅射 | 第28页 |
| ·衬底工艺 | 第28-29页 |
| ·衬底选择 | 第28-29页 |
| ·衬底清洗 | 第29页 |
| ·HfO_2薄膜的制备 | 第29-31页 |
| ·工艺流程 | 第30-31页 |
| ·工艺参数 | 第31页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第31-37页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第31-32页 |
| ·椭圆偏振光谱仪(Spectroscopic ellipsometry) | 第32-34页 |
| ·紫外-可见(UV-VIS)分光光度计 | 第34-35页 |
| ·场发射扫描电子显微镜(FE-SEM) | 第35-36页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第三章 实验结果与分析 | 第38-61页 |
| ·衬底温度对HfO_2薄膜结构与性能的影响 | 第38-45页 |
| ·样品制备 | 第38页 |
| ·衬底温度对HfO_2薄膜结构的影响 | 第38-40页 |
| ·衬底温度对HfO_2薄膜生长速率的影响 | 第40-41页 |
| ·衬底温度对HfO_2薄膜折射率的影响 | 第41-42页 |
| ·衬底温度对HfO_2薄膜透过率和光学带隙的影响 | 第42-45页 |
| ·氧氩比对HfO_2薄膜结构与性能的影响 | 第45-54页 |
| ·样品制备 | 第45页 |
| ·氧氩比对HfO_2薄膜结构的影响 | 第45-47页 |
| ·氧氩比对HfO_2薄膜生长速率的影响 | 第47-48页 |
| ·氧氩比对HfO_2薄膜组分的影响 | 第48-52页 |
| ·氧氩比对HfO_2薄膜折射率的影响 | 第52-53页 |
| ·氧氩比对HfO_2薄膜透过率和光学带隙的影响 | 第53-54页 |
| ·溅射气压对HfO_2薄膜结构与性能的影响 | 第54-58页 |
| ·样品制备 | 第54-55页 |
| ·溅射气压对HfO_2薄膜结构的影响 | 第55-56页 |
| ·溅射气压对HfO_2薄膜沉积速率的影响 | 第56页 |
| ·溅射气压对HfO_2薄膜透过率和光学带隙的影响 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第四章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |