| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·自旋电子学的进展 | 第8-10页 |
| ·自旋电子学简介 | 第8-9页 |
| ·自旋电子学发展历史 | 第9-10页 |
| ·半金属材料的简介 | 第10-18页 |
| ·半金属材料发展与现状 | 第10-12页 |
| ·半金属材料的分类 | 第12-18页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 理论基础和实验方法 | 第20-28页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·理论计算方法 | 第20-25页 |
| ·Bohn-Oppenheimer 与Hartree-Fock 近似 | 第20-22页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第22-25页 |
| ·实验样品的制备与测量方法 | 第25-27页 |
| ·电弧熔炼制备钮扣状多晶样品 | 第25-26页 |
| ·样品的退火及淬火处理 | 第26页 |
| ·甩带多晶样品的制备 | 第26页 |
| ·X 射线衍射分析样品晶体结构 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 几类 Ti_2基 Heusler半金属合金物性的第一性原理计算 | 第28-53页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·具有Hg_2 CuTi 型结构的Heusler 合金Ti_2NiZ(Z=Al，Ga，In)的第一性原理计算 | 第29-39页 |
| ·晶体结构的介绍和计算参数的设定 | 第29-30页 |
| ·Ti_2NiAl 的晶格结构优化和能态密度分析 | 第30-35页 |
| ·Ti_2NiZ(Z=Al，Ga，In)系列合金磁性质的研究 | 第35页 |
| ·Ti_2NiZ 系列合金能带结构的研究 | 第35-38页 |
| ·Ti_2NiAl 中原子占位少量无序对半金属性的影响 | 第38-39页 |
| ·Ti_2CoZ (Z=Si,Ge,Sn)系列半金属物性的研究 | 第39-47页 |
| ·Ti_2CoZ (Z=Si,Ge,Sn)晶体结构和计算方法 | 第39页 |
| ·晶体结构优化 | 第39-40页 |
| ·Ti_2CoZ (Z=Si,Ge,Sn)系列合金态密度的分析 | 第40-44页 |
| ·Ti_2CoZ (Z=Si,Ge,Sn)合金能带结构的分析 | 第44-46页 |
| ·Ti_2CoZ (Z=Si,Ge,Sn)合金磁性质的研究 | 第46-47页 |
| ·具有Hg_2CuTi 结构Heusler 合金Ti_2CoAl 的物性研究 | 第47-49页 |
| ·Ti_2CoAl 能态密度的分析 | 第47页 |
| ·Ti_2CoAl 能带结构的分析 | 第47-49页 |
| ·Ti_2CoAl 磁性能的分析 | 第49页 |
| ·Ti_2MnSb 的态密度、能带结构的研究 | 第49-51页 |
| ·Ti_2FeBi 的态密度、能带结构和磁性 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 高有序Heusler合金Cu_2MnAl 型和Hg_2CuTi 型结构的判定 | 第53-74页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·固体结合的一般理论 | 第53-60页 |
| ·几种典型的晶体格子 | 第54-55页 |
| ·几种典型的化合物晶体的结构 | 第55-57页 |
| ·化合物晶体结构与原子半径的关系 | 第57-59页 |
| ·原子半径比与Heusler 结构 | 第59-60页 |
| ·Heusler 合金超有序晶体结构的X 射线分析 | 第60-66页 |
| ·Cu_2MnAl 型和 Hg_2CuTi 型Heusler 结构的非实验方法判定 | 第66-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 半金属材料的实验合成探索 | 第74-79页 |
| ·引言 | 第74-75页 |
| ·Cl_2MnAl 与Cl_2MnGa 合金的制备及成相分析 | 第75-77页 |
| ·Cl_2CuAl 与Cl_2CuGa 合金的制备及成相分析 | 第77-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第六章 结论 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 攻读学位期间发表的论文情况 | 第86页 |
