磁控溅射制备含氦钛膜及薄膜沉积蒙特卡罗模拟的研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-6页
第一章 引言	第6-10页
·研究背景及现状	第6-8页
·金属中的氦行为和氦引入	第6-8页
·薄膜沉积的计算机模拟	第8页
·本文的主要内容	第8-10页
第二章 磁控溅射制备含He钛膜的研究	第10-29页
·引言	第10-13页
·薄膜中惰性气体包埋的研究历史	第10-11页
·磁控溅射技术介绍	第11-13页
·直流磁控溅射沉积含He钛膜	第13-18页
·研究材料、工作气体和放电电压的选择	第13-16页
·实验设备	第16-18页
·溅射参数对薄膜中He浓度的影响	第18-22页
·Ti膜中He含量的测定	第18-20页
·He/Ar流速比对He浓度的影响	第20-21页
·基底偏压对He浓度的影响	第21-22页
·沉积温度对He浓度的影响	第22页
·磁控溅射的引He理论分析	第22-29页
·两种基本的微观理论	第22-25页
·He-Ar混合气体磁控溅射引He理论分析	第25-29页
第三章 溅射薄膜沉积蒙特卡罗模拟	第29-59页
·引言	第29页
·薄膜沉积的理论基础	第29-38页
·薄膜沉积的基本理论	第29-34页
·影响薄膜沉积的主要因素	第34-38页
·薄膜沉积的计算机模拟方法	第38-44页
·几种常用的模拟方法和模型简述	第38-40页
·模拟方法的比较及选择	第40-41页
·动力学蒙特卡罗方法(KMC)	第41-44页
·溅射薄膜沉积KMC模型的建立和实现	第44-59页
·一些初步的假设	第44-46页
·模拟过程	第46-48页
·程序实现主要流程图	第48-52页
·程序模拟的初步结果及分析	第52-59页
第四章 总结	第59-61页
参考文献	第61-64页
致谢	第64-65页