| 中文摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·MOSFETS 力/磁传感器的技术基础 | 第9-12页 |
| ·MEMS 技术的基本概念 | 第9页 |
| ·MEMS 技术的基本特点 | 第9-10页 |
| ·MEMS 技术的加工工艺 | 第10-12页 |
| ·压力传感器研究现状及发展趋势 | 第12-15页 |
| ·压力传感器研究进展 | 第12-15页 |
| ·压力传感器发展趋势和发展动向 | 第15页 |
| ·霍尔传感器研究现状及发展趋势 | 第15-18页 |
| ·霍尔传感器研究进展 | 第15-18页 |
| ·霍尔传感器发展趋势和发展动向 | 第18页 |
| ·多功能传感器研究现状及发展趋势 | 第18-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第2章 MOSFETS 力/磁传感器的基本结构、工作原理 | 第22-53页 |
| ·MOSFETS 力/磁传感器版图设计 | 第22-23页 |
| ·MOSFET 的工作原理 | 第23-26页 |
| ·MOSFETS 压力传感器基本工作原理 | 第26-34页 |
| ·应力及应变 | 第26-29页 |
| ·压阻效应和压阻系数 | 第29-34页 |
| ·MOSFETS 磁传感器基本工作原理 | 第34-53页 |
| ·霍尔效应 | 第34-37页 |
| ·霍尔元件及其效率 | 第37-41页 |
| ·霍尔元件的设计 | 第41-47页 |
| ·MOS 霍尔器件工作原理 | 第47页 |
| ·MOSFET 霍尔器件的电磁特性 | 第47-50页 |
| ·MOSFET 霍尔器件的温度特性 | 第50-53页 |
| 第3章 MOSFETS 力/磁传感器的工艺原理与制作 | 第53-64页 |
| ·MOSFETS 力/磁传感器的主要工艺原理 | 第53-60页 |
| ·氧化工艺原理 | 第53-54页 |
| ·光刻工艺原理 | 第54-56页 |
| ·离子注入工艺 | 第56-58页 |
| ·LPCVD 工艺 | 第58-59页 |
| ·蒸铝工艺 | 第59页 |
| ·ICP 刻蚀工艺原理 | 第59-60页 |
| ·MOSFETS 力/磁传感器的制作工艺流程 | 第60-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第4章 MOSFETS 力/磁传感器实验结果及分析 | 第64-81页 |
| ·MOSFETS 力/磁传感器主要技术参数 | 第64-67页 |
| ·线性度 | 第64-65页 |
| ·灵敏度 | 第65-66页 |
| ·重复性 | 第66页 |
| ·迟滞 | 第66页 |
| ·传感器的综合精度 | 第66-67页 |
| ·MOSFETS 特性测试 | 第67-68页 |
| ·MOSFETs I-V 特性 | 第67页 |
| ·MOSFETs 温度特性 | 第67-68页 |
| ·MOSFETS 压力传感器实验结果 | 第68-73页 |
| ·MOSFETs 压力传感器输出特性 | 第68-70页 |
| ·MOSFETs 压力传感器静态特性计算 | 第70-73页 |
| ·MOSFETS 磁传感器实验结果 | 第73-79页 |
| ·MOSFETs 磁传感器输出特性 | 第73-76页 |
| ·MOSFETs 磁传感器静态特性计算 | 第76-79页 |
| ·MOSFETS 力/磁传感器输出特性 | 第79-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 结论 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第90-91页 |
