| 中文摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 第1章 综 述 | 第7-20页 |
| ·硅纳米材料的制备 | 第7-14页 |
| ·硅纳米粒子的制备 | 第7-8页 |
| ·硅纳米线的制备 | 第8-9页 |
| ·纳米硅薄膜的制备 | 第9-14页 |
| ·纳米硅的发光机制 | 第14-15页 |
| ·量子限制效应模型 | 第14-15页 |
| ·量子限制/发光中心模型 | 第15页 |
| ·表面态发光模型 | 第15页 |
| ·纳米硅材料的主要特性及应用 | 第15-18页 |
| ·硅纳米粒子的特性及应用 | 第15-16页 |
| ·硅纳米线的特性及应用 | 第16-18页 |
| ·研究目的和意义 | 第18-19页 |
| ·课题来源 | 第19-20页 |
| 第2章 实验部分 | 第20-25页 |
| ·主要仪器和试剂 | 第20-21页 |
| ·主要仪器 | 第20页 |
| ·主要试剂 | 第20-21页 |
| ·硅纳米粒子的制备 | 第21页 |
| ·样品的预处理 | 第21页 |
| ·硅纳米粒子的制备 | 第21页 |
| ·硅纳米粒子的酸刻蚀 | 第21-22页 |
| ·硅纳米粒子的表面接枝 | 第22页 |
| ·与过氧化苯甲酰（BPO）反应进行接枝 | 第22页 |
| ·与醋酸乙烯酯（VAc）反应进行接枝 | 第22页 |
| ·硅纳米粒子的水热处理 | 第22页 |
| ·在硅基底上制备硅纳米线薄膜 | 第22-23页 |
| ·在玻璃基底上硅纳米薄膜的制备 | 第22页 |
| ·在硅基底上硅纳米线薄膜的制备 | 第22-23页 |
| ·硅纳米材料的表征 | 第23-24页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第23页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM） | 第23页 |
| ·傅立叶红外光谱（FTIR） | 第23页 |
| ·光致发光光谱（PL） | 第23-24页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 结果与讨论 | 第25-44页 |
| ·垂直脉冲激光法（VPLD）制备硅纳米粒子及纳米薄膜 | 第25-26页 |
| ·硅纳米粒子和纳米薄膜的表征 | 第26-34页 |
| ·TEM 和SEM 表征 | 第26-27页 |
| ·XRD 表征 | 第27-28页 |
| ·FTIR 表征 | 第28-31页 |
| ·水热处理后的硅纳米粒子的XPS 表征 | 第31-33页 |
| ·水热处理后的硅纳米粒子的光致发光 | 第33-34页 |
| ·硅纳米粒子的表面改性 | 第34-39页 |
| ·与BPO 反应进行接枝 | 第34-37页 |
| ·接枝聚醋酸乙烯酯 | 第37-39页 |
| ·激光诱导转移方法在硅基底上制备硅纳米线薄膜 | 第39-42页 |
| ·在硅基底上硅纳米线薄膜的制备 | 第39页 |
| ·硅基底上硅纳米线薄膜的SEM 表征 | 第39-41页 |
| ·硅基底上硅纳米线薄膜的HRTEM 表征 | 第41页 |
| ·硅基底上硅纳米线薄膜的光致发光 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第52-53页 |