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基于SoC的存储控制器IP核的分析与设计

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-8页
第一章 绪论第8-12页
   ·国内外发展动态第9-10页
   ·国内外背景和研究现状第10-11页
   ·课题来源和主要工作第11页
   ·论文组织结构第11-12页
第二章 存储器工作原理的分析概述第12-34页
   ·存储器的基本介绍第12-14页
     ·内存分类第12-13页
     ·内存的性能指标第13-14页
   ·动态随机存储器的存储机制第14-23页
     ·DRAM 的基本结构第15-18页
     ·DRAM 存储阵列中的灵敏放大器第18-20页
     ·DRAM 的外围电路第20-21页
     ·DRAM 的刷新机制第21-23页
   ·动态内存的发展第23-24页
     ·FPM DRAM第23-24页
     ·EDO DRAM第24页
     ·SDRAM第24页
     ·DDR SDRAM第24页
   ·同步动态随机存储器第24-33页
     ·SDRAM 单元的基本结构第25-27页
     ·SDRAM 的命令模式第27-30页
     ·SDRAM 的时序参数第30-32页
     ·SDRAM 的启动和初始化第32-33页
   ·本章小结第33-34页
第三章 SoC 的系统设计和IP 的设计规范第34-47页
   ·SoC 技术第34-36页
     ·SoC 设计方法第35-36页
   ·IP 核的设计规则第36-41页
     ·IP 核开发流程第38-41页
   ·片上总线的设计规则第41-46页
     ·Wishbone 总线标准第44-46页
   ·本章小结第46-47页
第四章 SDRAM 控制器的设计第47-60页
   ·存储控制器IP 的设计第48-58页
     ·SDRAM 存储控制器状态机模块的设计第50-53页
     ·SDRAM 存储控制器接口模块的设计第53-55页
     ·顶层模块的设计第55-58页
   ·SDRAM 控制器的初始化操作第58-59页
   ·本章小结第59-60页
第五章 仿真结果与应用实例第60-64页
   ·仿真结果第60-62页
     ·初始化仿真结果第60-61页
     ·突发写的仿真结果第61页
     ·突发读的仿真结果第61-62页
   ·应用示例第62-64页
第六章 结论第64-65页
致谢第65-66页
参考文献第66-68页
攻读硕士期间取得的研究成果第68-69页

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