| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-19页 |
| ·太阳能电池的研究背景 | 第9-11页 |
| ·太阳能电池的发展 | 第11-13页 |
| ·第一代太阳能电池 | 第11页 |
| ·第代太阳能电池 | 第11-12页 |
| ·第三代太阳能电池 | 第12-13页 |
| ·薄膜太阳电池的发展 | 第13-18页 |
| ·硅基薄膜太阳电池 | 第13-15页 |
| ·化合物半导体薄膜太阳电池 | 第15-17页 |
| ·染料敏化太阳电池 | 第17-18页 |
| ·小结 | 第18-19页 |
| 第二章 太阳电池的原理、性能参数及多晶硅薄膜的制备方法 | 第19-27页 |
| ·太阳电池的原理 | 第19-21页 |
| ·理想PN结的伏安特性 | 第19页 |
| ·硅太阳电池的基本结构与工作原理 | 第19-21页 |
| ·太阳电池的性能参数 | 第21-23页 |
| ·多晶硅薄膜的制备方法 | 第23-26页 |
| ·化学气相沉积法(CVD,Chemical Vapor Deposition) | 第23-24页 |
| ·等离子增强化学气相沉积法(PECVD) | 第24页 |
| ·低压化学气相沉积(LPCVD) | 第24页 |
| ·热丝化学气相沉积(HWCVD) | 第24-25页 |
| ·光CVD法 | 第25页 |
| ·超高真空CVD | 第25页 |
| ·催化CVD | 第25页 |
| ·液相外延LPE | 第25-26页 |
| ·开题思想 | 第26-27页 |
| 第三章 PECVD法制备本征纳晶硅薄膜 | 第27-34页 |
| ·衬底准备 | 第27页 |
| ·试验设计 | 第27-28页 |
| ·结果及分析 | 第28-33页 |
| ·SiH_4浓度对本征nc-Si:H薄膜晶化率的影响 | 第28-30页 |
| ·衬底温度Ts对本征nc-Si:H薄膜晶化率的影响 | 第30-31页 |
| ·衬底温度对平均晶粒尺寸 | 第31-32页 |
| ·硅烷浓度对本征纳晶硅薄膜沉积速率的影响 | 第32-33页 |
| ·结论 | 第33-34页 |
| 第四章 PECVD法制备掺磷纳晶硅薄膜 | 第34-47页 |
| ·实验设计 | 第34-35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-45页 |
| ·掺磷对纳晶硅薄膜晶化率的影响 | 第35-37页 |
| ·掺磷对薄膜输运性质的影响 | 第37-40页 |
| ·掺磷对薄膜晶粒尺寸和晶格微观畸变的影响 | 第40-44页 |
| ·掺磷对薄膜光学带隙的影响 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 第五章 磁控溅射法制备氧化银透明薄膜 | 第47-55页 |
| ·引言 | 第47-49页 |
| ·实验设计 | 第49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-53页 |
| ·样品的表面形貌和XRD | 第49-50页 |
| ·氧氩比对AgO_x薄膜成分及光学性质的影响 | 第50-52页 |
| ·温度对氧化银的微结构及成份的影响 | 第52-53页 |
| ·结论 | 第53-55页 |
| 第六章 结论及下一步设想 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 硕士期间发表论文 | 第62页 |
