AgI和ZnS高压电学性质研究
| 内容提要 | 第1-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-24页 |
| ·高压物理学发展简介 | 第9-10页 |
| ·静态高压的产生装置简介 | 第10-12页 |
| ·高压电学研究的状况和意义 | 第12-15页 |
| ·高压电学研究的历史与现状 | 第12-13页 |
| ·高压电学研究的意义 | 第13-15页 |
| ·高压电学测量原理与方法 | 第15-16页 |
| ·金刚石对顶砧上样品厚度的测量方法 | 第16-19页 |
| ·测量微电路在金刚石压砧上的集成 | 第19-21页 |
| ·金属钼薄膜的溅射 | 第19页 |
| ·钼薄膜的图形化 | 第19-20页 |
| ·绝缘层的制备 | 第20-21页 |
| ·论文的选题目的和意义 | 第21-22页 |
| ·发展高压电学测量技术 | 第21页 |
| ·探索压力作用下新的超离子导电态的结构 | 第21-22页 |
| ·研究结构相变与电导率变化的关系 | 第22页 |
| ·本论文各部分的主要内容 | 第22-24页 |
| 第二章 晶体的基本电学性质 | 第24-34页 |
| ·晶体结合的基本类型 | 第24-27页 |
| ·离子晶体 | 第24-25页 |
| ·共价晶体 | 第25-26页 |
| ·金属晶体 | 第26页 |
| ·分子晶体 | 第26页 |
| ·氢键晶体 | 第26-27页 |
| ·半导体材料的种类 | 第27-28页 |
| ·半导体材料的分类 | 第27页 |
| ·半导体材料的特征参数 | 第27-28页 |
| ·导体、半导体和绝缘体的能带 | 第28-29页 |
| ·半导体的电导率和迁移率 | 第29-30页 |
| ·电离杂质的散射 | 第29-30页 |
| ·晶格振动的散射 | 第30页 |
| ·本征半导体的电学性质 | 第30-32页 |
| ·离子晶体中点缺陷和离子导电 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 AgI 高压电学性质研究 | 第34-46页 |
| ·AgI 的高压电学性质 | 第36-43页 |
| ·AgI 的电学性质和结构转变概述 | 第36-39页 |
| ·常温下AgI 的高压电导率测量 | 第39-40页 |
| ·高压下AgI 的电导率与温度的关系 | 第40-42页 |
| ·AgI-V 的电导率与压力和温度的关系 | 第42-43页 |
| ·AgI 的几种结构的能带结构计算 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 ZnS 高压电学性质研究 | 第46-55页 |
| ·体材料ZnS 的高压电学性质研究 | 第47-51页 |
| ·常温下体材料ZnS 的电阻率的测量 | 第47-49页 |
| ·ZnS 的电阻率与温度的关系 | 第49-50页 |
| ·闪锌矿结构ZnS 带隙Eg的实验测定 | 第50-51页 |
| ·纳米ZnS 高压电学性质研究 | 第51-53页 |
| ·ZnS 的能带结构计算 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 学术成果 | 第61-62页 |
| 作者简历 | 第62-63页 |
| 摘要 | 第63-65页 |
| Abstract | 第65-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
