摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
第一章 绪论 | 第7-13页 |
·自组装膜研究概况 | 第7页 |
·自组装膜修饰电极的制备、成膜机理及性能 | 第7-9页 |
·自组装膜电极的研究内容及其膜的表征 | 第9-10页 |
·自组装膜的研究内容 | 第9页 |
·自组装膜的表征 | 第9-10页 |
·自组装膜修饰电极的应用 | 第10页 |
·本文选题思想及主要研究内容 | 第10-13页 |
·选题思想 | 第10-11页 |
·研究内容 | 第11-13页 |
第二章 L-半胱氨酸自组装膜修饰电极对硒的催化富集及其分析应用研究 | 第13-21页 |
·引言 | 第13页 |
·实验部分 | 第13-14页 |
·仪器与试剂 | 第13-14页 |
·L-半胱氨酸自组装膜修饰金电极(L-Cys Au/SAMs)的制备 | 第14页 |
·实验方法 | 第14页 |
·结果与讨论 | 第14-16页 |
·L-Cys Au/SAMs的电化学表征 | 第14-15页 |
·Na_2SeO_3在L-Cys Au/SAMs修饰电极上的电化学性质的研究 | 第15-16页 |
·机理初探 | 第16-17页 |
·分析应用 | 第17-21页 |
·富集电位的影响 | 第17页 |
·扫描速率的影响 | 第17-18页 |
·富集时间和Se氧化溶出电流的关系 | 第18页 |
·底液的影响 | 第18页 |
·硒的溶出峰电流与Na_2SeO_3浓度的关系 | 第18-19页 |
·L-Cys Au/SAMs电极稳定性和测定的精密度 | 第19页 |
·干扰试验 | 第19页 |
·实际样品测定 | 第19-21页 |
第三章 L—半胱氨酸自组装膜修饰金电极上抗坏血酸的电化学行为 | 第21-27页 |
·引言 | 第21页 |
·实验部分 | 第21-22页 |
·仪器与试剂 | 第21页 |
·修饰电极的制备 | 第21-22页 |
·实验方法 | 第22页 |
·结果与讨论 | 第22-27页 |
·L-半胱氨酸修饰金电极对抗坏血酸的电催化作用 | 第22-23页 |
·溶液的酸度对峰电流的影响 | 第23-24页 |
·富集条件对峰电流的影响 | 第24-25页 |
·线性范围、检出限和重现性 | 第25-26页 |
·干扰实验 | 第26页 |
·实际样品测定 | 第26-27页 |
第四章 L-半胱氨酸自组装膜修饰金电极对铜离子的电化学测定 | 第27-32页 |
·前言 | 第27页 |
·实验部分 | 第27-32页 |
·仪器与试剂 | 第27页 |
·修饰电极的制备 | 第27-28页 |
·实验方法 | 第28页 |
·L-Cys Au/SAMs的电化学性质 | 第28页 |
·Cu~(2+)在L-半胱氨酸自组装膜修饰金电极上的伏安特性 | 第28-29页 |
·修饰电极条件的优化 | 第29-32页 |
第五章 铁(Ⅲ)-邻二氮菲测定L-半胱氨酸 | 第32-36页 |
·前言 | 第32页 |
·实验部分 | 第32-33页 |
·实验仪器与试剂 | 第32页 |
·实验方法 | 第32-33页 |
·结果与讨论 | 第33-35页 |
·紫外-可见吸收曲线 | 第33页 |
·反应原理 | 第33-34页 |
·温度及平衡时间对吸光度的影响 | 第34页 |
·显色剂用量对吸光度的影响 | 第34-35页 |
·干扰实验 | 第35页 |
·工作曲线 | 第35-36页 |
第六章 铁(Ⅲ)-邻二氮菲测定还原型谷胱甘肽 | 第36-40页 |
·前言 | 第36页 |
·实验部分 | 第36-37页 |
·实验仪器与试剂 | 第36页 |
·实验方法 | 第36-37页 |
·结果与讨论 | 第37-40页 |
·紫外-可见吸收曲线 | 第37页 |
·反应原理 | 第37-38页 |
·温度及平衡时间对吸光度的影响 | 第38页 |
·显色剂用量对吸光度的影响 | 第38-39页 |
·干扰实验 | 第39页 |
·工作曲线 | 第39-40页 |
参考文献 | 第40-45页 |
致谢 | 第45页 |