| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1. 前言 | 第7-11页 |
| ·半导体光电导开关简介 | 第7页 |
| ·半导体光电导开关的工作模式 | 第7-8页 |
| ·线性工作模式 | 第7-8页 |
| ·非线性工作模式 | 第8页 |
| ·光电导开关的器件模拟 | 第8-9页 |
| ·半导体器件模拟的概念 | 第8页 |
| ·半导体器件模拟的方法 | 第8-9页 |
| ·本论文的主要工作 | 第9-10页 |
| ·本章小结 | 第10-11页 |
| 2. 光电导开关的物理模拟 | 第11-39页 |
| ·线性工作模式下的经典理论模型 | 第11-13页 |
| ·经典理论模型方程 | 第11-12页 |
| ·经典理论模型假设 | 第12-13页 |
| ·非线性工作模式下的半经典理论模型 | 第13-15页 |
| ·半经典理论模型方程 | 第13-14页 |
| ·半经典模型假设 | 第14-15页 |
| ·蒙特卡罗模拟概述 | 第15-17页 |
| ·Monte Carlo 法基本思想 | 第15-16页 |
| ·Monte Carlo 模拟的发展概况 | 第16页 |
| ·Monte Carlo 模拟方法的步骤及具体工作 | 第16-17页 |
| ·GaAs 半导体光电导开关的物理模型和物理参数 | 第17-28页 |
| ·GaAs 材料能带结构 | 第17-18页 |
| ·GaAs 材料的负微分特性 | 第18-19页 |
| ·GaAs 材料半导体光电导开关在非线性工作模式下的物理机理 | 第19页 |
| ·GaAs 材料的散射 | 第19-25页 |
| ·碰撞电离的散射机制 | 第25-26页 |
| ·迁移率模型 | 第26-27页 |
| ·有关物理参数的选择 | 第27-28页 |
| ·器件几何模型的构造 | 第28页 |
| ·边界条件的适当选择 | 第28-29页 |
| ·自然边界 | 第28-29页 |
| ·固定边界 | 第29页 |
| ·网格划分，选取分配电荷和计算电场的方法，并适当选取时间步长 | 第29-31页 |
| ·网格划分 | 第29-30页 |
| ·电荷分配和电场计算 | 第30-31页 |
| ·时间步长的选择 | 第31页 |
| ·给出适当的粒子初始分布 | 第31-32页 |
| ·适当处理粒子飞行和散射 | 第32-35页 |
| ·随机自由飞行时间计算 | 第32-33页 |
| ·k 空间，r 空间中电子位置的确定 | 第33-35页 |
| ·计算结果及分析 | 第35-37页 |
| ·不同的IDP(谷间形变势)下X 带电子散射比例与电场强度的关系曲线 | 第35-36页 |
| ·电子占有率与电场强度大小的关系曲线 | 第36页 |
| ·漂移速度和电场强度的变化曲线 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 3. 光电导开关的电路模拟 | 第39-45页 |
| ·光电导开关传输电路的基本方程 | 第39-40页 |
| ·光电导开关芯片自身的电路方程 | 第40-42页 |
| ·线性工作模式下的机理分析 | 第40页 |
| ·线性工作模式下的时变电阻方程 | 第40-42页 |
| ·光电导开关在 PSPICE 中的电路模型 | 第42-43页 |
| ·线性工作模式下模拟及结果分析 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 4. 结论 | 第45-46页 |
| ·结论 | 第45页 |
| ·进一步工作设想 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 附录 | 第48页 |
