工作于1.3μm的M-Z型铌酸锂强度调制器的设计与制作
| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| ·研究背景 | 第9-10页 |
| ·国内外研究动态 | 第10页 |
| ·论文所要解决的问题 | 第10-12页 |
| ·强度调制器电极结构的设计 | 第10页 |
| ·调制器的制作工艺技术 | 第10-12页 |
| 第二章 光波导及电光效应理论基础 | 第12-24页 |
| ·光波导理论 | 第12-16页 |
| ·波导的形成条件 | 第12-13页 |
| ·导波的模式特性 | 第13-15页 |
| ·模式方程 | 第15-16页 |
| ·电光效应理论 | 第16-24页 |
| ·电光调制原理 | 第16-17页 |
| ·折射率椭球 | 第17-18页 |
| ·电光效应 | 第18-22页 |
| ·电光晶体选取 | 第22-23页 |
| ·电场施加方向 | 第23-24页 |
| 第三章 波导结构设计 | 第24-35页 |
| ·波导结构的种类 | 第24-25页 |
| ·波导的设计分析 | 第25-27页 |
| ·弯曲波导的分析 | 第27-31页 |
| ·M-Z 结构的分析 | 第31-33页 |
| ·M-Z 干涉仪 | 第31-32页 |
| ·消光比分析 | 第32-33页 |
| ·波导结构设计时考虑的几点 | 第33-35页 |
| 第四章 电极结构设计 | 第35-47页 |
| ·相位调制器的工作原理 | 第35-37页 |
| ·线性化处理 | 第37-38页 |
| ·偏置工作点 | 第38-40页 |
| ·π/2偏置工作点 | 第38-39页 |
| ·π 偏置工作点 | 第39页 |
| ·偏置电极的设计 | 第39-40页 |
| ·行波电极的结构分析 | 第40-47页 |
| ·半波电压的分析 | 第41页 |
| ·特征阻抗Z 的分析 | 第41-43页 |
| ·阻抗匹配的分析 | 第43页 |
| ·带宽的分析 | 第43-47页 |
| 第五章 强度调制器的制作 | 第47-54页 |
| ·工艺流程 | 第47页 |
| ·光刻工艺 | 第47-48页 |
| ·质子交换与退火 | 第48-52页 |
| ·质子交换光波导的单偏振性 | 第48-49页 |
| ·质子交换机理 | 第49-50页 |
| ·质子交换与退火工艺 | 第50-52页 |
| ·电极电镀 | 第52-53页 |
| ·光纤与波导的耦合 | 第53-54页 |
| 第六章 器件的测试 | 第54-59页 |
| ·测试参数 | 第54-58页 |
| ·插入损耗 | 第54页 |
| ·半波电压 | 第54-56页 |
| ·带宽 | 第56-57页 |
| ·调制消光比 | 第57-58页 |
| ·测试结果 | 第58页 |
| ·器件图片 | 第58-59页 |
| 第七章 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 个人简历 | 第64页 |
