Si基光通信器件制作的湿法工艺研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-6页 |
| 目录 | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| §1.1 光通信的发展 | 第10-12页 |
| ·光通信发展的几个重要阶段 | 第10-11页 |
| ·光通信技术的优点 | 第11-12页 |
| §1.2 全光网络和WDM技术 | 第12-14页 |
| §1.3 硅材料在集成光学中的发展和应用 | 第14-17页 |
| §1.4 光纤定位硅V型槽的发展状况 | 第17-18页 |
| §1.5 SOI光电器件的应用及发展状况 | 第18-20页 |
| §1.6 本论文的主要内容 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-22页 |
| 第二章 硅的晶体结构及其各向异性腐蚀特性 | 第22-33页 |
| §2.1 Si的晶体结构 | 第22-24页 |
| §2.2 Si的各向异性腐蚀特性 | 第24-25页 |
| §2.3 硅在K~+溶液当中的各向异性腐蚀特性 | 第25-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 硅V型槽及其光纤阵列的制作 | 第33-65页 |
| §3.1 光纤的损耗 | 第33-39页 |
| ·吸收损耗 | 第33-35页 |
| ·散射损耗和弯曲损耗 | 第35页 |
| ·光纤的耦合损耗 | 第35-39页 |
| §3.2 光纤定位硅V型槽的设计与制作 | 第39-64页 |
| ·光纤定位V型槽的重要参数分析 | 第39-41页 |
| ·光纤与波导的耦合 | 第41-44页 |
| ·掩膜的制备方法 | 第44-49页 |
| ·光刻工艺 | 第49-54页 |
| ·硅V型槽及其光纤阵列制作的实验过程 | 第54-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 第四章 基于SOI材料的AWG器件湿法工艺探究 | 第65-93页 |
| §4.1 AWG的基本原理 | 第65-67页 |
| §4.2 AWG设计方法 | 第67-74页 |
| ·AWG的整体设计方法 | 第67-68页 |
| ·AWG的版图设计 | 第68-74页 |
| §4.3 SOI材料 | 第74-77页 |
| §4.4 基于SOI的AWG器件湿法工艺研究 | 第77-92页 |
| ·干法ICP刻蚀制作AWG的研究成果 | 第79-81页 |
| ·湿法刻蚀的优点 | 第81-82页 |
| ·湿法刻蚀制作SOI材料波导的实验研究 | 第82-92页 |
| 参考文献 | 第92-93页 |
| 第五章 总结与展望 | 第93-98页 |
| §5.1 论文总结 | 第93页 |
| §5.2 实验工作总结 | 第93-94页 |
| §5.3 实验工作展望 | 第94-95页 |
| §5.4 光集成器件的发展展望 | 第95-98页 |
| 致谢 | 第98页 |
