| 第一章 文献综述 | 第1-39页 |
| 1．1 引言 | 第10-12页 |
| 1．2 半导体单晶硅制备 | 第12-13页 |
| 1．3 直拉硅单晶中氧的控制 | 第13-18页 |
| 1．3．1 氧的溶解度 | 第13-14页 |
| 1．3．2 硅中氧的扩散 | 第14-15页 |
| 1．3．3 氧沉淀的形核 | 第15-16页 |
| 1．3．3．1 均质形核 | 第15-16页 |
| 1．3．3．2 异质形核 | 第16页 |
| 1．3．4 氧沉淀的长大 | 第16-18页 |
| 1．4 影响氧沉淀的因素 | 第18-25页 |
| 1．4．1 初始氧浓度对氧沉淀的影响 | 第18页 |
| 1．4．2 原生缺陷对氧沉淀的影响 | 第18-20页 |
| 1．4．3 氮的掺杂对氧沉淀的影响 | 第20-24页 |
| 1．4．3．1 掺杂直拉硅中的氧沉淀 | 第20-21页 |
| 1．4．3．2 抑制微缺陷和Void的形成 | 第21页 |
| 1．4．3．3 促进氧沉淀 | 第21-23页 |
| 1．4．3．4 钉扎位错提高硅片的机械强度 | 第23页 |
| 1．4．3．5 氮对CZ硅中热施主(TD)和新施主(NTD)形成的影响 | 第23-24页 |
| 1．4．3．6 氮对洁净区的影响 | 第24页 |
| 1．4．4 重掺直拉单晶硅中的氧沉淀 | 第24-25页 |
| 1．5 器件工艺过程中氧沉淀行为的研究 | 第25-33页 |
| 1．5．1 氧沉淀对器件电学性能的影响 | 第25-28页 |
| 1．5．2 内吸杂工艺的研究进展 | 第28-33页 |
| 1．5．2．1 高-低-高三步内吸杂工艺 | 第28-30页 |
| 1．5．2．2 魔幻洁净区(MDZ) | 第30-32页 |
| 1．5．2．3 高温一步内吸杂工艺 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-39页 |
| 第二章 实验设备及样品准备 | 第39-42页 |
| 2．1 常规退火炉 | 第39页 |
| 2．2 快速热处理 | 第39页 |
| 2．3 傅立叶红外测试仪 | 第39-40页 |
| 2．4 金相显微镜(OM) | 第40-41页 |
| 2．5 样品的制备 | 第41-42页 |
| 第三章 模拟短热预算CMOS工艺的基于快速热处理的内吸杂结构的研究 | 第42-62页 |
| 3．1 引言 | 第42-43页 |
| 3．2 实验 | 第43-44页 |
| 3．3 实验结果与讨论 | 第44-58页 |
| 3．3．1 CMOS工艺未改动时，热处理后硅片的内吸杂结构 | 第44-46页 |
| 3．3．2 消除离子注入损伤的RTP的温度调整后，热处理后硅片的内吸杂结构 | 第46-49页 |
| 3．3．3 调整阱推进工艺升温速度后，热处理后硅片的内吸杂结构 | 第49-52页 |
| 3．3．4 经过RTP预处理的硅片在CMOS热处理过程中，其内吸杂结构 | 第52-56页 |
| 3．3．5 模拟的CMOS工艺热处理后，N/N+型重掺直拉硅外延片的体缺陷 | 第56-58页 |
| 3．4 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第四章 模拟长热预算CMOS工艺的基于快速热处理的内吸杂结构的研究 | 第62-77页 |
| 4．1 引言 | 第62-63页 |
| 4．2 实验思路和基本方案 | 第63-64页 |
| 4．3 实验 | 第64页 |
| 4．4 实验结果及讨论 | 第64-74页 |
| 4．4．1 分别经过RTP(1250℃) + CMOS工艺和常规炉退火(1200℃)+CMOS工艺热处理后，普通硅片的内吸杂结构 | 第64-69页 |
| 4．4．2 分别经过RTP(1250℃) + CMOS工艺和常规炉退火(1200℃)+CMOS工艺热处理后，掺氮硅片的内吸杂结构 | 第69-72页 |
| 4．4．3 普通硅片和掺氮硅片的内吸杂结构的对比 | 第72-74页 |
| 4．5 结论 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-77页 |
| 第五章 总结 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
