L-MBE法制备ZnO薄膜及ZnO-TFT器件研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 ZnO 的光电性质及其光电器件概述 | 第8-20页 |
| ·ZnO 的结构特性 | 第8-10页 |
| ·ZnO 的光电性质 | 第10-12页 |
| ·宽禁带 | 第10页 |
| ·透明导电 | 第10-11页 |
| ·紫外受激发射 | 第11-12页 |
| ·ZnO 基光电器件及研究进展 | 第12-17页 |
| ·紫外探测器 | 第12-13页 |
| ·白光 LED | 第13-14页 |
| ·短波长激光器 | 第14-15页 |
| ·场效应晶体管 | 第15-17页 |
| ·本论文的研究内容 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章 ZnO 薄膜制备技术 | 第20-36页 |
| ·激光分子束外延技术 | 第20-30页 |
| ·L-MBE 系统组成 | 第21-26页 |
| ·工作原理 | 第26-28页 |
| ·ZnO 陶瓷靶材的制备 | 第28-30页 |
| ·ZnO 薄膜其他制备技术 | 第30-33页 |
| ·磁控溅射 | 第30-31页 |
| ·金属有机化学气相沉积 | 第31-32页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 L-MBE 法制备ZnO 薄膜的工艺优化 | 第36-49页 |
| ·样品制备 | 第36-38页 |
| ·蓝宝石(Al_2O_3)衬底 | 第36-37页 |
| ·称底清洗 | 第37页 |
| ·薄膜生长 | 第37-38页 |
| ·薄膜结构分析 | 第38-41页 |
| ·XRD 基本原理 | 第38-39页 |
| ·ZnO 外延薄膜结构分析 | 第39-41页 |
| ·薄膜表面形貌分析 | 第41-43页 |
| ·原子力显微镜简介 | 第41-42页 |
| ·ZnO 薄膜AFM 分析 | 第42-43页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第43-44页 |
| ·透射光谱 | 第44-46页 |
| ·小结 | 第46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 第四章 以 ZnO 为沟道层的薄膜场效应晶体管 | 第49-66页 |
| ·薄膜晶体管在液晶显示中的应用 | 第49-56页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·液晶像素的驱动方式 | 第49-50页 |
| ·TFT 结构和原理 | 第50-55页 |
| ·硅材料 TFT 简介 | 第55-56页 |
| ·ZnO-TFT 的优势 | 第56页 |
| ·ZnO-TFT 制作过程 | 第56-63页 |
| ·结构设计 | 第56-57页 |
| ·热氧化生成 SiO2绝缘层 | 第57-59页 |
| ·PECVD 法制备 SiNx 绝缘层 | 第59-61页 |
| ·绝缘层上生长 ZnO 薄膜 | 第61-62页 |
| ·源漏电极的制备 | 第62-63页 |
| ·电学性能测试 | 第63-64页 |
| ·小结 | 第64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
